AZ23B3V0-HE3-18,Vishay Semiconductor Diodes Division,分立半导体产品,二极管 - 齐纳 - 阵列
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

AZ23B3V0-HE3-18 - 

DIODE ZENER 3V 300MW SOT23

  • 非库存货
Vishay Semiconductor Diodes Division AZ23B3V0-HE3-18
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
AZ23B3V0-HE3-18
仓库库存编号：
AZ23B3V0-HE3-18-ND
描述：
DIODE ZENER 3V 300MW SOT23
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 300mW ±2% SOT-23
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

AZ23B3V0-HE3-18产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  
  制造商  Vishay Semiconductor Diodes Division  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C  
  系列  汽车级，AEC-Q101  
  包装  带卷（TR）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-23  
  容差  ±2%  
  配置  1 对共阳极  
  不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流  -  
  不同 If 时的电压 - 正向（Vf）  -  
  Power - Max  300mW  
  电压 - 齐纳（标称值）（Vz）  3V  
  阻抗（最大值）（Zzt）  95 Ohms  
关键词         

产品资料
数据列表 AZ23 Series
标准包装 10,000

AZ23B3V0-HE3-18相关搜索

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Vishay Semiconductor Diodes Division 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  二极管 - 齐纳 - 阵列 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 阵列 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3   制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  二极管 - 齐纳 - 阵列 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 阵列 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division   安装类型 表面贴装  Vishay Semiconductor Diodes Division 安装类型 表面贴装  二极管 - 齐纳 - 阵列 安装类型 表面贴装  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C  Vishay Semiconductor Diodes Division 工作温度 -55°C ~ 150°C  二极管 - 齐纳 - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C   系列 汽车级，AEC-Q101  Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 汽车级，AEC-Q101  二极管 - 齐纳 - 阵列 系列 汽车级，AEC-Q101  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 阵列 系列 汽车级，AEC-Q101   包装 带卷（TR）   Vishay Semiconductor Diodes Division 包装 带卷（TR）   二极管 - 齐纳 - 阵列 包装 带卷（TR）   Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Vishay Semiconductor Diodes Division 零件状态 在售  二极管 - 齐纳 - 阵列 零件状态 在售  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-23  Vishay Semiconductor Diodes Division 供应商器件封装 SOT-23  二极管 - 齐纳 - 阵列 供应商器件封装 SOT-23  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 阵列 供应商器件封装 SOT-23   容差 ±2%  Vishay Semiconductor Diodes Division 容差 ±2%  二极管 - 齐纳 - 阵列 容差 ±2%  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 阵列 容差 ±2%   配置 1 对共阳极  Vishay Semiconductor Diodes Division 配置 1 对共阳极  二极管 - 齐纳 - 阵列 配置 1 对共阳极  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 阵列 配置 1 对共阳极   不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 -  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 -  二极管 - 齐纳 - 阵列 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 -  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 阵列 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 -   不同 If 时的电压 - 正向（Vf） -  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） -  二极管 - 齐纳 - 阵列 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） -  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 阵列 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） -   Power - Max 300mW  Vishay Semiconductor Diodes Division Power - Max 300mW  二极管 - 齐纳 - 阵列 Power - Max 300mW  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 阵列 Power - Max 300mW   电压 - 齐纳（标称值）（Vz） 3V  Vishay Semiconductor Diodes Division 电压 - 齐纳（标称值）（Vz） 3V  二极管 - 齐纳 - 阵列 电压 - 齐纳（标称值）（Vz） 3V  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 阵列 电压 - 齐纳（标称值）（Vz） 3V   阻抗（最大值）（Zzt） 95 Ohms  Vishay Semiconductor Diodes Division 阻抗（最大值）（Zzt） 95 Ohms  二极管 - 齐纳 - 阵列 阻抗（最大值）（Zzt） 95 Ohms  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 阵列 阻抗（最大值）（Zzt） 95 Ohms  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号