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BA682-GS18
BA682-GS18 -
DIODE BAND SW SOD80 MINIMELF
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division
制造商产品编号:
BA682-GS18
仓库库存编号:
BA682-GS18-ND
描述:
DIODE BAND SW SOD80 MINIMELF
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Diode PIN - Single 35V 100mA SOD-80 MiniMELF
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BA682-GS18产品属性
产品规格
封装/外壳
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
制造商
Vishay Semiconductor Diodes Division
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
过期
供应商器件封装
SOD-80 MiniMELF
功率耗散(最大值)
-
二极管类型
PIN - 单
不同?Vr,F 时的电容
1.25pF @ 3V,100MHz
电流 - 最大值
100mA
电压 - 峰值反向(最大值)
35V
不同?If,F 时的电阻
500 毫欧 @ 10mA,200MHz
关键词
产品资料
标准包装
10,000
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封装/外壳 DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Vishay Semiconductor Diodes Division 封装/外壳 DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
二极管 - 射频 封装/外壳 DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 封装/外壳 DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
二极管 - 射频 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
工作温度 150°C(TJ)
Vishay Semiconductor Diodes Division 工作温度 150°C(TJ)
二极管 - 射频 工作温度 150°C(TJ)
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系列 -
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包装 带卷(TR)
Vishay Semiconductor Diodes Division 包装 带卷(TR)
二极管 - 射频 包装 带卷(TR)
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零件状态 过期
Vishay Semiconductor Diodes Division 零件状态 过期
二极管 - 射频 零件状态 过期
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供应商器件封装 SOD-80 MiniMELF
Vishay Semiconductor Diodes Division 供应商器件封装 SOD-80 MiniMELF
二极管 - 射频 供应商器件封装 SOD-80 MiniMELF
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 供应商器件封装 SOD-80 MiniMELF
功率耗散(最大值) -
Vishay Semiconductor Diodes Division 功率耗散(最大值) -
二极管 - 射频 功率耗散(最大值) -
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 功率耗散(最大值) -
二极管类型 PIN - 单
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管类型 PIN - 单
二极管 - 射频 二极管类型 PIN - 单
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不同?Vr,F 时的电容 1.25pF @ 3V,100MHz
Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Vr,F 时的电容 1.25pF @ 3V,100MHz
二极管 - 射频 不同?Vr,F 时的电容 1.25pF @ 3V,100MHz
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 不同?Vr,F 时的电容 1.25pF @ 3V,100MHz
电流 - 最大值 100mA
Vishay Semiconductor Diodes Division 电流 - 最大值 100mA
二极管 - 射频 电流 - 最大值 100mA
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 电流 - 最大值 100mA
电压 - 峰值反向(最大值) 35V
Vishay Semiconductor Diodes Division 电压 - 峰值反向(最大值) 35V
二极管 - 射频 电压 - 峰值反向(最大值) 35V
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 电压 - 峰值反向(最大值) 35V
不同?If,F 时的电阻 500 毫欧 @ 10mA,200MHz
Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?If,F 时的电阻 500 毫欧 @ 10mA,200MHz
二极管 - 射频 不同?If,F 时的电阻 500 毫欧 @ 10mA,200MHz
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 不同?If,F 时的电阻 500 毫欧 @ 10mA,200MHz
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