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BA782S-G3-18
BA782S-G3-18 -
DIODE BAND SW 100MA SOD323
已过时的产品。
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division
制造商产品编号：
BA782S-G3-18
仓库库存编号：
BA782S-G3-18-ND
描述：
DIODE BAND SW 100MA SOD323
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
RF Diode Standard - Single 35V 100mA SOD-323
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BA782S-G3-18产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-76，SOD-323
制造商
Vishay Semiconductor Diodes Division
工作温度
125°C（TJ）
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
过期
供应商器件封装
SOD-323
功率耗散（最大值）
-
二极管类型
标准 - 单
不同?Vr，F 时的电容
1.25pF @ 3V，1MHz
电流 - 最大值
100mA
电压 - 峰值反向（最大值）
35V
不同?If，F 时的电阻
700 毫欧 @ 3mA，1GHz
关键词
产品资料
数据列表
BAT81S thru BAT83S
标准包装
10,000
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封装/外壳 SC-76，SOD-323
Vishay Semiconductor Diodes Division 封装/外壳 SC-76，SOD-323
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Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 封装/外壳 SC-76，SOD-323
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
二极管 - 射频 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
工作温度 125°C（TJ）
Vishay Semiconductor Diodes Division 工作温度 125°C（TJ）
二极管 - 射频 工作温度 125°C（TJ）
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 工作温度 125°C（TJ）
系列 -
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包装 带卷（TR）
Vishay Semiconductor Diodes Division 包装 带卷（TR）
二极管 - 射频 包装 带卷（TR）
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 包装 带卷（TR）
零件状态 过期
Vishay Semiconductor Diodes Division 零件状态 过期
二极管 - 射频 零件状态 过期
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 零件状态 过期
供应商器件封装 SOD-323
Vishay Semiconductor Diodes Division 供应商器件封装 SOD-323
二极管 - 射频 供应商器件封装 SOD-323
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 供应商器件封装 SOD-323
功率耗散（最大值） -
Vishay Semiconductor Diodes Division 功率耗散（最大值） -
二极管 - 射频 功率耗散（最大值） -
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 功率耗散（最大值） -
二极管类型 标准 - 单
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管类型 标准 - 单
二极管 - 射频 二极管类型 标准 - 单
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 二极管类型 标准 - 单
不同?Vr，F 时的电容 1.25pF @ 3V，1MHz
Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Vr，F 时的电容 1.25pF @ 3V，1MHz
二极管 - 射频 不同?Vr，F 时的电容 1.25pF @ 3V，1MHz
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 不同?Vr，F 时的电容 1.25pF @ 3V，1MHz
电流 - 最大值 100mA
Vishay Semiconductor Diodes Division 电流 - 最大值 100mA
二极管 - 射频 电流 - 最大值 100mA
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 电流 - 最大值 100mA
电压 - 峰值反向（最大值） 35V
Vishay Semiconductor Diodes Division 电压 - 峰值反向（最大值） 35V
二极管 - 射频 电压 - 峰值反向（最大值） 35V
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 电压 - 峰值反向（最大值） 35V
不同?If，F 时的电阻 700 毫欧 @ 3mA，1GHz
Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?If，F 时的电阻 700 毫欧 @ 3mA，1GHz
二极管 - 射频 不同?If，F 时的电阻 700 毫欧 @ 3mA，1GHz
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 不同?If，F 时的电阻 700 毫欧 @ 3mA，1GHz
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