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BA782S-HE3-08
BA782S-HE3-08 -
DIODE BAND SW 100MA SOD323
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division
制造商产品编号:
BA782S-HE3-08
仓库库存编号:
BA782S-HE3-08-ND
描述:
DIODE BAND SW 100MA SOD323
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Diode PIN - Single 35V 100mA SOD-323
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BA782S-HE3-08产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-76,SOD-323
制造商
Vishay Semiconductor Diodes Division
工作温度
125°C(TJ)
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
过期
供应商器件封装
SOD-323
功率耗散(最大值)
-
二极管类型
PIN - 单
不同?Vr,F 时的电容
1.25pF @ 3V,1MHz
电流 - 最大值
100mA
电压 - 峰值反向(最大值)
35V
不同?If,F 时的电阻
700 毫欧 @ 3mA,1GHz
关键词
产品资料
标准包装
3,000
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封装/外壳 SC-76,SOD-323
Vishay Semiconductor Diodes Division 封装/外壳 SC-76,SOD-323
二极管 - 射频 封装/外壳 SC-76,SOD-323
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 封装/外壳 SC-76,SOD-323
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
二极管 - 射频 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
工作温度 125°C(TJ)
Vishay Semiconductor Diodes Division 工作温度 125°C(TJ)
二极管 - 射频 工作温度 125°C(TJ)
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系列 -
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二极管 - 射频 系列 -
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包装 带卷(TR)
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二极管 - 射频 包装 带卷(TR)
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 包装 带卷(TR)
零件状态 过期
Vishay Semiconductor Diodes Division 零件状态 过期
二极管 - 射频 零件状态 过期
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供应商器件封装 SOD-323
Vishay Semiconductor Diodes Division 供应商器件封装 SOD-323
二极管 - 射频 供应商器件封装 SOD-323
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功率耗散(最大值) -
Vishay Semiconductor Diodes Division 功率耗散(最大值) -
二极管 - 射频 功率耗散(最大值) -
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二极管类型 PIN - 单
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管类型 PIN - 单
二极管 - 射频 二极管类型 PIN - 单
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不同?Vr,F 时的电容 1.25pF @ 3V,1MHz
Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Vr,F 时的电容 1.25pF @ 3V,1MHz
二极管 - 射频 不同?Vr,F 时的电容 1.25pF @ 3V,1MHz
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 不同?Vr,F 时的电容 1.25pF @ 3V,1MHz
电流 - 最大值 100mA
Vishay Semiconductor Diodes Division 电流 - 最大值 100mA
二极管 - 射频 电流 - 最大值 100mA
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电压 - 峰值反向(最大值) 35V
Vishay Semiconductor Diodes Division 电压 - 峰值反向(最大值) 35V
二极管 - 射频 电压 - 峰值反向(最大值) 35V
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 电压 - 峰值反向(最大值) 35V
不同?If,F 时的电阻 700 毫欧 @ 3mA,1GHz
Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?If,F 时的电阻 700 毫欧 @ 3mA,1GHz
二极管 - 射频 不同?If,F 时的电阻 700 毫欧 @ 3mA,1GHz
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 不同?If,F 时的电阻 700 毫欧 @ 3mA,1GHz
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