BA983-GS08,Vishay Semiconductor Diodes Division,分立半导体产品,二极管 - 射频
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

BA983-GS08 - 

DIODE BAND SW SOD80

  • 已过时的产品。
Vishay Semiconductor Diodes Division BA983-GS08
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
BA983-GS08
仓库库存编号:
BA983-GS08-ND
描述:
DIODE BAND SW SOD80
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Diode Standard - Single 35V 100mA SOD-80 QuadroMELF
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

BA983-GS08产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOD-80 变式  
  制造商  Vishay Semiconductor Diodes Division  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  SOD-80 QuadroMELF  
  功率耗散(最大值)  -  
  二极管类型  标准 - 单  
  不同?Vr,F 时的电容  1.2pF @ 3V,100MHz  
  电流 - 最大值  100mA  
  电压 - 峰值反向(最大值)  35V  
  不同?If,F 时的电阻  1.2欧姆 @ 3mA,200MHz  
关键词         

产品资料
标准包装 2,500

BA983-GS08相关搜索

封装/外壳 SOD-80 变式  Vishay Semiconductor Diodes Division 封装/外壳 SOD-80 变式  二极管 - 射频 封装/外壳 SOD-80 变式  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 封装/外壳 SOD-80 变式   制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  二极管 - 射频 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division   工作温度 150°C(TJ)  Vishay Semiconductor Diodes Division 工作温度 150°C(TJ)  二极管 - 射频 工作温度 150°C(TJ)  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 工作温度 150°C(TJ)   系列 -  Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 -  二极管 - 射频 系列 -  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 系列 -   包装 带卷(TR)   Vishay Semiconductor Diodes Division 包装 带卷(TR)   二极管 - 射频 包装 带卷(TR)   Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 包装 带卷(TR)    零件状态 过期  Vishay Semiconductor Diodes Division 零件状态 过期  二极管 - 射频 零件状态 过期  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 零件状态 过期   供应商器件封装 SOD-80 QuadroMELF  Vishay Semiconductor Diodes Division 供应商器件封装 SOD-80 QuadroMELF  二极管 - 射频 供应商器件封装 SOD-80 QuadroMELF  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 供应商器件封装 SOD-80 QuadroMELF   功率耗散(最大值) -  Vishay Semiconductor Diodes Division 功率耗散(最大值) -  二极管 - 射频 功率耗散(最大值) -  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 功率耗散(最大值) -   二极管类型 标准 - 单  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管类型 标准 - 单  二极管 - 射频 二极管类型 标准 - 单  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 二极管类型 标准 - 单   不同?Vr,F 时的电容 1.2pF @ 3V,100MHz  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Vr,F 时的电容 1.2pF @ 3V,100MHz  二极管 - 射频 不同?Vr,F 时的电容 1.2pF @ 3V,100MHz  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 不同?Vr,F 时的电容 1.2pF @ 3V,100MHz   电流 - 最大值 100mA  Vishay Semiconductor Diodes Division 电流 - 最大值 100mA  二极管 - 射频 电流 - 最大值 100mA  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 电流 - 最大值 100mA   电压 - 峰值反向(最大值) 35V  Vishay Semiconductor Diodes Division 电压 - 峰值反向(最大值) 35V  二极管 - 射频 电压 - 峰值反向(最大值) 35V  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 电压 - 峰值反向(最大值) 35V   不同?If,F 时的电阻 1.2欧姆 @ 3mA,200MHz  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?If,F 时的电阻 1.2欧姆 @ 3mA,200MHz  二极管 - 射频 不同?If,F 时的电阻 1.2欧姆 @ 3mA,200MHz  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 射频 不同?If,F 时的电阻 1.2欧姆 @ 3mA,200MHz  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号