BAS386-TR,Vishay Semiconductor Diodes Division,分立半导体产品,二极管 - 整流器 - 单
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BAS386-TR
BAS386-TR -
DIODE GEN 50V 200MA MICROMELF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division
制造商产品编号:
BAS386-TR
仓库库存编号:
BAS386GICT-ND
描述:
DIODE GEN 50V 200MA MICROMELF
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
标准 表面贴装 二极管 200mA MicroMELF
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BAS386-TR产品属性
产品规格
封装/外壳
2-SMD,无引线
制造商
Vishay Semiconductor Diodes Division
安装类型
表面贴装
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
MicroMELF
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
5μA @ 40V
电流 - 平均整流(Io)
200mA
不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
900mV @ 100mA
工作温度 - 结
125°C(最大)
二极管类型
标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)
50V
不同?Vr,F 时的电容
880pF @ 0V,1MHz
速度
小信号 =< 200mA(Io),任意速度
关键词
产品资料
数据列表
BAS386
标准包装
1
其它名称
BAS386GICT
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制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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速度 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Vishay Semiconductor Diodes Division 速度 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
二极管 - 整流器 - 单 速度 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 速度 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
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