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产品规格

封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商	Vishay Semiconductor Diodes Division
安装类型	表面贴装
系列	汽车级，AEC-Q101
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	SOT-23
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流	2μA @ 25V
反向恢复时间（trr）	5ns
不同 If 时的电压 - 正向（Vf）	800mV @ 100mA
工作温度 - 结	125°C（最大）
二极管类型	肖特基
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）	30V
速度	小信号 =< 200mA（Io），任意速度
电流 - 平均整流（Io）（每二极管）	200mA（DC）
二极管配置	1 对共阴极
关键词

产品资料

标准包装	10,000

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Vishay Semiconductor Diodes Division 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  二极管 - 整流器 - 阵列 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3   制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  二极管 - 整流器 - 阵列 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division   安装类型 表面贴装  Vishay Semiconductor Diodes Division 安装类型 表面贴装  二极管 - 整流器 - 阵列 安装类型 表面贴装  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 安装类型 表面贴装   系列 汽车级，AEC-Q101  Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 汽车级，AEC-Q101  二极管 - 整流器 - 阵列 系列 汽车级，AEC-Q101  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 系列 汽车级，AEC-Q101   包装 带卷（TR）   Vishay Semiconductor Diodes Division 包装 带卷（TR）   二极管 - 整流器 - 阵列 包装 带卷（TR）   Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Vishay Semiconductor Diodes Division 零件状态 过期  二极管 - 整流器 - 阵列 零件状态 过期  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 SOT-23  Vishay Semiconductor Diodes Division 供应商器件封装 SOT-23  二极管 - 整流器 - 阵列 供应商器件封装 SOT-23  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 供应商器件封装 SOT-23   不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 2μA @ 25V  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 2μA @ 25V  二极管 - 整流器 - 阵列 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 2μA @ 25V  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 2μA @ 25V   反向恢复时间（trr） 5ns  Vishay Semiconductor Diodes Division 反向恢复时间（trr） 5ns  二极管 - 整流器 - 阵列 反向恢复时间（trr） 5ns  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 反向恢复时间（trr） 5ns   不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 800mV @ 100mA  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 800mV @ 100mA  二极管 - 整流器 - 阵列 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 800mV @ 100mA  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 800mV @ 100mA   工作温度 - 结 125°C（最大）  Vishay Semiconductor Diodes Division 工作温度 - 结 125°C（最大）  二极管 - 整流器 - 阵列 工作温度 - 结 125°C（最大）  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 工作温度 - 结 125°C（最大）   二极管类型 肖特基  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管类型 肖特基  二极管 - 整流器 - 阵列 二极管类型 肖特基  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 二极管类型 肖特基   电压 - DC 反向（Vr）（最大值） 30V  Vishay Semiconductor Diodes Division 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） 30V  二极管 - 整流器 - 阵列 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） 30V  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） 30V   速度 小信号 =< 200mA（Io），任意速度  Vishay Semiconductor Diodes Division 速度 小信号 =< 200mA（Io），任意速度  二极管 - 整流器 - 阵列 速度 小信号 =< 200mA（Io），任意速度  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 速度 小信号 =< 200mA（Io），任意速度   电流 - 平均整流（Io）（每二极管） 200mA（DC）  Vishay Semiconductor Diodes Division 电流 - 平均整流（Io）（每二极管） 200mA（DC）  二极管 - 整流器 - 阵列 电流 - 平均整流（Io）（每二极管） 200mA（DC）  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 电流 - 平均整流（Io）（每二极管） 200mA（DC）   二极管配置 1 对共阴极  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管配置 1 对共阴极  二极管 - 整流器 - 阵列 二极管配置 1 对共阴极  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 二极管配置 1 对共阴极