BZD27B130P-HE3-08,Vishay Semiconductor Diodes Division,分立半导体产品,二极管 - 齐纳 - 单
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BZD27B130P-HE3-08
BZD27B130P-HE3-08 -
DIODE ZENER 130V 0.8W DO-219AB
非库存货
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division
制造商产品编号：
BZD27B130P-HE3-08
仓库库存编号：
BZD27B130P-HE3-08-ND
描述：
DIODE ZENER 130V 0.8W DO-219AB
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Zener Diode 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF)
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BZD27B130P-HE3-08产品属性
产品规格
封装/外壳
DO-219AB
制造商
Vishay Semiconductor Diodes Division
安装类型
表面贴装
工作温度
-65°C ~ 175°C
系列
汽车级，AEC-Q101，BZD27B
包装
带卷（TR）
零件状态
在售
供应商器件封装
DO-219AB（SMF）
容差
-
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
1μA @ 100V
不同 If 时的电压 - 正向（Vf）
1.2V @ 200mA
Power - Max
800mW
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）
130V
阻抗（最大值）（Zzt）
300 Ohms
关键词
产品资料
数据列表
BZD27B Series
标准包装
30,000
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封装/外壳 DO-219AB
Vishay Semiconductor Diodes Division 封装/外壳 DO-219AB
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制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
二极管 - 齐纳 - 单 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
安装类型 表面贴装
Vishay Semiconductor Diodes Division 安装类型 表面贴装
二极管 - 齐纳 - 单 安装类型 表面贴装
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -65°C ~ 175°C
Vishay Semiconductor Diodes Division 工作温度 -65°C ~ 175°C
二极管 - 齐纳 - 单 工作温度 -65°C ~ 175°C
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 工作温度 -65°C ~ 175°C
系列 汽车级，AEC-Q101，BZD27B
Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 汽车级，AEC-Q101，BZD27B
二极管 - 齐纳 - 单 系列 汽车级，AEC-Q101，BZD27B
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 系列 汽车级，AEC-Q101，BZD27B
包装 带卷（TR）
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二极管 - 齐纳 - 单 包装 带卷（TR）
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零件状态 在售
Vishay Semiconductor Diodes Division 零件状态 在售
二极管 - 齐纳 - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 DO-219AB（SMF）
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容差 -
Vishay Semiconductor Diodes Division 容差 -
二极管 - 齐纳 - 单 容差 -
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不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 1μA @ 100V
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二极管 - 齐纳 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 1μA @ 100V
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不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.2V @ 200mA
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二极管 - 齐纳 - 单 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.2V @ 200mA
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Power - Max 800mW
Vishay Semiconductor Diodes Division Power - Max 800mW
二极管 - 齐纳 - 单 Power - Max 800mW
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电压 - 齐纳（标称值）（Vz） 130V
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阻抗（最大值）（Zzt） 300 Ohms
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