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产品规格

封装/外壳	DO-219AB
制造商	Vishay Semiconductor Diodes Division
安装类型	表面贴装
工作温度	-65°C ~ 175°C
系列	汽车级，AEC-Q101，BZD27C-M
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	DO-219AB（SMF）
容差	-
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流	1μA @ 24V
不同 If 时的电压 - 正向（Vf）	1.2V @ 200mA
Power - Max	800mW
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）	33V
阻抗（最大值）（Zzt）	15 Ohms
关键词

产品资料

标准包装	1
其它名称	BZD27C33P-M3-18GICT

封装/外壳 DO-219AB  Vishay Semiconductor Diodes Division 封装/外壳 DO-219AB  二极管 - 齐纳 - 单 封装/外壳 DO-219AB  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 封装/外壳 DO-219AB   制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  二极管 - 齐纳 - 单 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division   安装类型 表面贴装  Vishay Semiconductor Diodes Division 安装类型 表面贴装  二极管 - 齐纳 - 单 安装类型 表面贴装  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -65°C ~ 175°C  Vishay Semiconductor Diodes Division 工作温度 -65°C ~ 175°C  二极管 - 齐纳 - 单 工作温度 -65°C ~ 175°C  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 工作温度 -65°C ~ 175°C   系列 汽车级，AEC-Q101，BZD27C-M  Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 汽车级，AEC-Q101，BZD27C-M  二极管 - 齐纳 - 单 系列 汽车级，AEC-Q101，BZD27C-M  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 系列 汽车级，AEC-Q101，BZD27C-M   包装 剪切带（CT）   Vishay Semiconductor Diodes Division 包装 剪切带（CT）   二极管 - 齐纳 - 单 包装 剪切带（CT）   Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Vishay Semiconductor Diodes Division 零件状态 在售  二极管 - 齐纳 - 单 零件状态 在售  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 DO-219AB（SMF）  Vishay Semiconductor Diodes Division 供应商器件封装 DO-219AB（SMF）  二极管 - 齐纳 - 单 供应商器件封装 DO-219AB（SMF）  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 供应商器件封装 DO-219AB（SMF）   容差 -  Vishay Semiconductor Diodes Division 容差 -  二极管 - 齐纳 - 单 容差 -  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 容差 -   不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 1μA @ 24V  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 1μA @ 24V  二极管 - 齐纳 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 1μA @ 24V  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 1μA @ 24V   不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.2V @ 200mA  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.2V @ 200mA  二极管 - 齐纳 - 单 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.2V @ 200mA  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.2V @ 200mA   Power - Max 800mW  Vishay Semiconductor Diodes Division Power - Max 800mW  二极管 - 齐纳 - 单 Power - Max 800mW  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 Power - Max 800mW   电压 - 齐纳（标称值）（Vz） 33V  Vishay Semiconductor Diodes Division 电压 - 齐纳（标称值）（Vz） 33V  二极管 - 齐纳 - 单 电压 - 齐纳（标称值）（Vz） 33V  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 电压 - 齐纳（标称值）（Vz） 33V   阻抗（最大值）（Zzt） 15 Ohms  Vishay Semiconductor Diodes Division 阻抗（最大值）（Zzt） 15 Ohms  二极管 - 齐纳 - 单 阻抗（最大值）（Zzt） 15 Ohms  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 阻抗（最大值）（Zzt） 15 Ohms