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ES2BHE3/52T
ES2BHE3/52T -
DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
不再生产的版本 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division
制造商产品编号:
ES2BHE3/52T
仓库库存编号:
ES2BHE3/52T-ND
描述:
DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
标准 表面贴装 二极管 100V 2A DO-214AA(SMB)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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ES2BHE3/52T产品属性
产品规格
封装/外壳
DO-214AA,SMB
制造商
Vishay Semiconductor Diodes Division
安装类型
表面贴装
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
已不再提供
供应商器件封装
DO-214AA(SMB)
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
10μA @ 100V
反向恢复时间(trr)
30ns
电流 - 平均整流(Io)
2A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
900mV @ 2A
工作温度 - 结
-55°C ~ 150°C
二极管类型
标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)
100V
不同?Vr,F 时的电容
18pF @ 4V,1MHz
速度
快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
关键词
产品资料
数据列表
ES2A thru ES2D
标准包装
750
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制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
二极管 - 整流器 - 单 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
安装类型 表面贴装
Vishay Semiconductor Diodes Division 安装类型 表面贴装
二极管 - 整流器 - 单 安装类型 表面贴装
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系列 -
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包装 带卷(TR)
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二极管 - 整流器 - 单 包装 带卷(TR)
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零件状态 已不再提供
Vishay Semiconductor Diodes Division 零件状态 已不再提供
二极管 - 整流器 - 单 零件状态 已不再提供
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 零件状态 已不再提供
供应商器件封装 DO-214AA(SMB)
Vishay Semiconductor Diodes Division 供应商器件封装 DO-214AA(SMB)
二极管 - 整流器 - 单 供应商器件封装 DO-214AA(SMB)
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不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 100V
Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 100V
二极管 - 整流器 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 100V
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反向恢复时间(trr) 30ns
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二极管 - 整流器 - 单 反向恢复时间(trr) 30ns
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电流 - 平均整流(Io) 2A
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不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 900mV @ 2A
Vishay Semiconductor Diodes Division 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 900mV @ 2A
二极管 - 整流器 - 单 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 900mV @ 2A
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工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C
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二极管类型 标准
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电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 100V
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二极管 - 整流器 - 单 电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 100V
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不同?Vr,F 时的电容 18pF @ 4V,1MHz
Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Vr,F 时的电容 18pF @ 4V,1MHz
二极管 - 整流器 - 单 不同?Vr,F 时的电容 18pF @ 4V,1MHz
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速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
Vishay Semiconductor Diodes Division 速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管 - 整流器 - 单 速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
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