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产品规格

封装/外壳	SOT-227-4，miniBLOC
制造商	Vishay Semiconductor Diodes Division
安装类型	底座安装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
零件状态	过期
供应商器件封装	SOT-227B
输入	标准
配置	单一
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	630W
电流 - 集电极截止（最大值）	1mA
Current - Collector (Ic) (Max)	200A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	1.3V @ 15V，100A
NTC 热敏电阻	无
不同?Vce 时的输入电容（Cies）	16.25nF @ 30V
关键词

产品资料

标准包装	10
其它名称	*GA200SA60S VS-GA200SA60S VS-GA200SA60S-ND VSGA200SA60S VSGA200SA60S-ND

封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC  Vishay Semiconductor Diodes Division 封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC  晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC   制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division   安装类型 底座安装  Vishay Semiconductor Diodes Division 安装类型 底座安装  晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Vishay Semiconductor Diodes Division 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 -  晶体管 - IGBT - 模块 系列 -  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 系列 -   零件状态 过期  Vishay Semiconductor Diodes Division 零件状态 过期  晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 过期  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 过期   供应商器件封装 SOT-227B  Vishay Semiconductor Diodes Division 供应商器件封装 SOT-227B  晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 SOT-227B  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 SOT-227B   输入 标准  Vishay Semiconductor Diodes Division 输入 标准  晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准   配置 单一  Vishay Semiconductor Diodes Division 配置 单一  晶体管 - IGBT - 模块 配置 单一  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 配置 单一   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Vishay Semiconductor Diodes Division Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 630W  Vishay Semiconductor Diodes Division Power - Max 630W  晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 630W  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 630W   电流 - 集电极截止（最大值） 1mA  Vishay Semiconductor Diodes Division 电流 - 集电极截止（最大值） 1mA  晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止（最大值） 1mA  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止（最大值） 1mA   Current - Collector (Ic) (Max) 200A  Vishay Semiconductor Diodes Division Current - Collector (Ic) (Max) 200A  晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 200A  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 200A   IGBT 类型 -  Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 类型 -  晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 -  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.3V @ 15V，100A  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.3V @ 15V，100A  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.3V @ 15V，100A  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.3V @ 15V，100A   NTC 热敏电阻 无  Vishay Semiconductor Diodes Division NTC 热敏电阻 无  晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无   不同?Vce 时的输入电容（Cies） 16.25nF @ 30V  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 16.25nF @ 30V  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 16.25nF @ 30V  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 16.25nF @ 30V