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产品规格

封装/外壳	P600，轴向
制造商	Vishay Semiconductor Diodes Division
安装类型	通孔
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	P600
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流	10μA @ 600V
反向恢复时间（trr）	200ns
电流 - 平均整流（Io）	5A
不同 If 时的电压 - 正向（Vf）	1.1V @ 5A
工作温度 - 结	-50°C ~ 150°C
二极管类型	标准
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）	600V
不同?Vr，F 时的电容	300pF @ 4V，1MHz
速度	快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
关键词

产品资料

标准包装	1
其它名称	GI826-E3/54GICT

封装/外壳 P600，轴向  Vishay Semiconductor Diodes Division 封装/外壳 P600，轴向  二极管 - 整流器 - 单 封装/外壳 P600，轴向  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 封装/外壳 P600，轴向   制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  二极管 - 整流器 - 单 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division   安装类型 通孔  Vishay Semiconductor Diodes Division 安装类型 通孔  二极管 - 整流器 - 单 安装类型 通孔  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 安装类型 通孔   系列 -  Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 -  二极管 - 整流器 - 单 系列 -  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Vishay Semiconductor Diodes Division 包装 剪切带（CT）   二极管 - 整流器 - 单 包装 剪切带（CT）   Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  Vishay Semiconductor Diodes Division 零件状态 过期  二极管 - 整流器 - 单 零件状态 过期  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 P600  Vishay Semiconductor Diodes Division 供应商器件封装 P600  二极管 - 整流器 - 单 供应商器件封装 P600  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 供应商器件封装 P600   不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 600V  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 600V  二极管 - 整流器 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 600V  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 600V   反向恢复时间（trr） 200ns  Vishay Semiconductor Diodes Division 反向恢复时间（trr） 200ns  二极管 - 整流器 - 单 反向恢复时间（trr） 200ns  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 反向恢复时间（trr） 200ns   电流 - 平均整流（Io） 5A  Vishay Semiconductor Diodes Division 电流 - 平均整流（Io） 5A  二极管 - 整流器 - 单 电流 - 平均整流（Io） 5A  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 电流 - 平均整流（Io） 5A   不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.1V @ 5A  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.1V @ 5A  二极管 - 整流器 - 单 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.1V @ 5A  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.1V @ 5A   工作温度 - 结 -50°C ~ 150°C  Vishay Semiconductor Diodes Division 工作温度 - 结 -50°C ~ 150°C  二极管 - 整流器 - 单 工作温度 - 结 -50°C ~ 150°C  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 工作温度 - 结 -50°C ~ 150°C   二极管类型 标准  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管类型 标准  二极管 - 整流器 - 单 二极管类型 标准  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 二极管类型 标准   电压 - DC 反向（Vr）（最大值） 600V  Vishay Semiconductor Diodes Division 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） 600V  二极管 - 整流器 - 单 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） 600V  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） 600V   不同?Vr，F 时的电容 300pF @ 4V，1MHz  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Vr，F 时的电容 300pF @ 4V，1MHz  二极管 - 整流器 - 单 不同?Vr，F 时的电容 300pF @ 4V，1MHz  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 不同?Vr，F 时的电容 300pF @ 4V，1MHz   速度 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）  Vishay Semiconductor Diodes Division 速度 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）  二极管 - 整流器 - 单 速度 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 速度 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）