MMBZ5230B-HE3-18,Vishay Semiconductor Diodes Division,分立半导体产品,二极管 - 齐纳 - 单
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MMBZ5230B-HE3-18
MMBZ5230B-HE3-18 -
DIODE ZENER 4.7V 225MW SOT23-3
非库存货
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division
制造商产品编号：
MMBZ5230B-HE3-18
仓库库存编号：
MMBZ5230B-HE3-18-ND
描述：
DIODE ZENER 4.7V 225MW SOT23-3
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Zener Diode 225mW ±5% Surface Mount SOT-23-3
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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MMBZ5230B-HE3-18产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商
Vishay Semiconductor Diodes Division
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C
系列
汽车级，AEC-Q101
包装
带卷（TR）
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-23-3
容差
±5%
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
5μA @ 2V
不同 If 时的电压 - 正向（Vf）
-
Power - Max
225mW
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）
4.7V
阻抗（最大值）（Zzt）
19 Ohms
关键词
产品资料
数据列表
MMBZ5225 thru MMBZ5267
标准包装
10,000
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封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
二极管 - 齐纳 - 单 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
安装类型 表面贴装
Vishay Semiconductor Diodes Division 安装类型 表面贴装
二极管 - 齐纳 - 单 安装类型 表面贴装
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C
Vishay Semiconductor Diodes Division 工作温度 -55°C ~ 150°C
二极管 - 齐纳 - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C
系列 汽车级，AEC-Q101
Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 汽车级，AEC-Q101
二极管 - 齐纳 - 单 系列 汽车级，AEC-Q101
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包装 带卷（TR）
Vishay Semiconductor Diodes Division 包装 带卷（TR）
二极管 - 齐纳 - 单 包装 带卷（TR）
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零件状态 在售
Vishay Semiconductor Diodes Division 零件状态 在售
二极管 - 齐纳 - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 SOT-23-3
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容差 ±5%
Vishay Semiconductor Diodes Division 容差 ±5%
二极管 - 齐纳 - 单 容差 ±5%
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不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 5μA @ 2V
Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 5μA @ 2V
二极管 - 齐纳 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 5μA @ 2V
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不同 If 时的电压 - 正向（Vf） -
Vishay Semiconductor Diodes Division 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） -
二极管 - 齐纳 - 单 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） -
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Power - Max 225mW
Vishay Semiconductor Diodes Division Power - Max 225mW
二极管 - 齐纳 - 单 Power - Max 225mW
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电压 - 齐纳（标称值）（Vz） 4.7V
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二极管 - 齐纳 - 单 电压 - 齐纳（标称值）（Vz） 4.7V
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阻抗（最大值）（Zzt） 19 Ohms
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二极管 - 齐纳 - 单 阻抗（最大值）（Zzt） 19 Ohms
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