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S1M-E3/5AT - 

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Vishay Semiconductor Diodes Division S1M-E3/5AT
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
S1M-E3/5AT
仓库库存编号：
S1M-E3/5ATGICT-ND
描述：
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
标准 表面贴装 二极管 1A DO-214AC（SMA）
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

S1M-E3/5AT产品属性


产品规格
  封装/外壳  DO-214AC，SMA  
  制造商  Vishay Semiconductor Diodes Division  
  安装类型  表面贴装  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  DO-214AC（SMA）  
  不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流  5μA @ 1000V  
  反向恢复时间（trr）  1.8μs  
  电流 - 平均整流（Io）  1A  
  不同 If 时的电压 - 正向（Vf）  1.1V @ 1A  
  工作温度 - 结  -55°C ~ 150°C  
  二极管类型  标准  
  电压 - DC 反向（Vr）（最大值）  1000V  
  不同?Vr，F 时的电容  12pF @ 4V，1MHz  
  速度  标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）  
关键词         

产品资料
数据列表 Packaging Information
S1(A, B, D, G, J, K, M)
标准包装 1
其它名称 S1M-E3/5ATGICT

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