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TZMC36-GS08
TZMC36-GS08 -
DIODE ZENER 36V 500MW SOD80
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division
制造商产品编号:
TZMC36-GS08
仓库库存编号:
TZMC36-GS08GICT-ND
描述:
DIODE ZENER 36V 500MW SOD80
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Zener Diode 500mW ±5% Surface Mount SOD-80 MiniMELF
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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TZMC36-GS08产品属性
产品规格
封装/外壳
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
制造商
Vishay Semiconductor Diodes Division
安装类型
表面贴装
工作温度
-65°C ~ 175°C
系列
汽车级,AEC-Q101
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SOD-80 MiniMELF
容差
±5%
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
100nA @ 27V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
1.5V @ 200mA
Power - Max
500mW
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
36V
阻抗(最大值)(Zzt)
80 Ohms
关键词
产品资料
数据列表
TZM Series
标准包装
1
其它名称
TZMC36-GS08GICT
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封装/外壳 DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Vishay Semiconductor Diodes Division 封装/外壳 DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
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Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 封装/外壳 DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
二极管 - 齐纳 - 单 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
安装类型 表面贴装
Vishay Semiconductor Diodes Division 安装类型 表面贴装
二极管 - 齐纳 - 单 安装类型 表面贴装
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -65°C ~ 175°C
Vishay Semiconductor Diodes Division 工作温度 -65°C ~ 175°C
二极管 - 齐纳 - 单 工作温度 -65°C ~ 175°C
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 工作温度 -65°C ~ 175°C
系列 汽车级,AEC-Q101
Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 汽车级,AEC-Q101
二极管 - 齐纳 - 单 系列 汽车级,AEC-Q101
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 系列 汽车级,AEC-Q101
包装 剪切带(CT)
Vishay Semiconductor Diodes Division 包装 剪切带(CT)
二极管 - 齐纳 - 单 包装 剪切带(CT)
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零件状态 在售
Vishay Semiconductor Diodes Division 零件状态 在售
二极管 - 齐纳 - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 SOD-80 MiniMELF
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二极管 - 齐纳 - 单 供应商器件封装 SOD-80 MiniMELF
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容差 ±5%
Vishay Semiconductor Diodes Division 容差 ±5%
二极管 - 齐纳 - 单 容差 ±5%
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不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 100nA @ 27V
Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 100nA @ 27V
二极管 - 齐纳 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 100nA @ 27V
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 100nA @ 27V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.5V @ 200mA
Vishay Semiconductor Diodes Division 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.5V @ 200mA
二极管 - 齐纳 - 单 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.5V @ 200mA
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.5V @ 200mA
Power - Max 500mW
Vishay Semiconductor Diodes Division Power - Max 500mW
二极管 - 齐纳 - 单 Power - Max 500mW
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电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 36V
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二极管 - 齐纳 - 单 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 36V
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阻抗(最大值)(Zzt) 80 Ohms
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