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VLZ12B-GS08
VLZ12B-GS08 -
DIODE ZENER 11.75V 500MW SOD80
已过时的产品。
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division
制造商产品编号：
VLZ12B-GS08
仓库库存编号：
VLZ12B-GS08-ND
描述：
DIODE ZENER 11.75V 500MW SOD80
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Zener Diode 11.75V 500mW Surface Mount SOD-80 QuadroMELF
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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VLZ12B-GS08产品属性
产品规格
封装/外壳
SOD-80 变式
制造商
Vishay Semiconductor Diodes Division
安装类型
表面贴装
工作温度
-65°C ~ 175°C
系列
汽车级，AEC-Q101
包装
带卷（TR）
零件状态
过期
供应商器件封装
SOD-80 QuadroMELF
容差
-
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
40μA @ 10.9V
不同 If 时的电压 - 正向（Vf）
1.5V @ 200mA
Power - Max
500mW
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）
11.75V
阻抗（最大值）（Zzt）
12 Ohms
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产品资料
数据列表
VLZ Series
标准包装
2,500
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封装/外壳 SOD-80 变式
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制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
二极管 - 齐纳 - 单 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
安装类型 表面贴装
Vishay Semiconductor Diodes Division 安装类型 表面贴装
二极管 - 齐纳 - 单 安装类型 表面贴装
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -65°C ~ 175°C
Vishay Semiconductor Diodes Division 工作温度 -65°C ~ 175°C
二极管 - 齐纳 - 单 工作温度 -65°C ~ 175°C
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 工作温度 -65°C ~ 175°C
系列 汽车级，AEC-Q101
Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 汽车级，AEC-Q101
二极管 - 齐纳 - 单 系列 汽车级，AEC-Q101
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 系列 汽车级，AEC-Q101
包装 带卷（TR）
Vishay Semiconductor Diodes Division 包装 带卷（TR）
二极管 - 齐纳 - 单 包装 带卷（TR）
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零件状态 过期
Vishay Semiconductor Diodes Division 零件状态 过期
二极管 - 齐纳 - 单 零件状态 过期
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供应商器件封装 SOD-80 QuadroMELF
Vishay Semiconductor Diodes Division 供应商器件封装 SOD-80 QuadroMELF
二极管 - 齐纳 - 单 供应商器件封装 SOD-80 QuadroMELF
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 供应商器件封装 SOD-80 QuadroMELF
容差 -
Vishay Semiconductor Diodes Division 容差 -
二极管 - 齐纳 - 单 容差 -
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 容差 -
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 40μA @ 10.9V
Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 40μA @ 10.9V
二极管 - 齐纳 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 40μA @ 10.9V
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 40μA @ 10.9V
不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.5V @ 200mA
Vishay Semiconductor Diodes Division 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.5V @ 200mA
二极管 - 齐纳 - 单 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.5V @ 200mA
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.5V @ 200mA
Power - Max 500mW
Vishay Semiconductor Diodes Division Power - Max 500mW
二极管 - 齐纳 - 单 Power - Max 500mW
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电压 - 齐纳（标称值）（Vz） 11.75V
Vishay Semiconductor Diodes Division 电压 - 齐纳（标称值）（Vz） 11.75V
二极管 - 齐纳 - 单 电压 - 齐纳（标称值）（Vz） 11.75V
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阻抗（最大值）（Zzt） 12 Ohms
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二极管 - 齐纳 - 单 阻抗（最大值）（Zzt） 12 Ohms
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