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产品规格

封装/外壳	TO-277，3-PowerDFN
制造商	Vishay Semiconductor Diodes Division
安装类型	表面贴装
系列	汽车级，AEC-Q101，FRED Pt?
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-277A（SMPC）
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流	2μA @ 200V
反向恢复时间（trr）	18ns
不同 If 时的电压 - 正向（Vf）	950mV @ 4A
工作温度 - 结	-65°C ~ 175°C
二极管类型	标准
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）	200V
速度	快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
电流 - 平均整流（Io）（每二极管）	4A
二极管配置	1 对共阴极
关键词

产品资料

数据列表	VS-8CSH02HM3
标准包装	1
其它名称	VS-8CSH02HM3/86AGICT

封装/外壳 TO-277，3-PowerDFN  Vishay Semiconductor Diodes Division 封装/外壳 TO-277，3-PowerDFN  二极管 - 整流器 - 阵列 封装/外壳 TO-277，3-PowerDFN  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 封装/外壳 TO-277，3-PowerDFN   制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  二极管 - 整流器 - 阵列 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division   安装类型 表面贴装  Vishay Semiconductor Diodes Division 安装类型 表面贴装  二极管 - 整流器 - 阵列 安装类型 表面贴装  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 安装类型 表面贴装   系列 汽车级，AEC-Q101，FRED Pt?  Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 汽车级，AEC-Q101，FRED Pt?  二极管 - 整流器 - 阵列 系列 汽车级，AEC-Q101，FRED Pt?  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 系列 汽车级，AEC-Q101，FRED Pt?   包装 剪切带（CT）   Vishay Semiconductor Diodes Division 包装 剪切带（CT）   二极管 - 整流器 - 阵列 包装 剪切带（CT）   Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Vishay Semiconductor Diodes Division 零件状态 在售  二极管 - 整流器 - 阵列 零件状态 在售  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-277A（SMPC）  Vishay Semiconductor Diodes Division 供应商器件封装 TO-277A（SMPC）  二极管 - 整流器 - 阵列 供应商器件封装 TO-277A（SMPC）  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 供应商器件封装 TO-277A（SMPC）   不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 2μA @ 200V  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 2μA @ 200V  二极管 - 整流器 - 阵列 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 2μA @ 200V  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 2μA @ 200V   反向恢复时间（trr） 18ns  Vishay Semiconductor Diodes Division 反向恢复时间（trr） 18ns  二极管 - 整流器 - 阵列 反向恢复时间（trr） 18ns  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 反向恢复时间（trr） 18ns   不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 950mV @ 4A  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 950mV @ 4A  二极管 - 整流器 - 阵列 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 950mV @ 4A  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 950mV @ 4A   工作温度 - 结 -65°C ~ 175°C  Vishay Semiconductor Diodes Division 工作温度 - 结 -65°C ~ 175°C  二极管 - 整流器 - 阵列 工作温度 - 结 -65°C ~ 175°C  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 工作温度 - 结 -65°C ~ 175°C   二极管类型 标准  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管类型 标准  二极管 - 整流器 - 阵列 二极管类型 标准  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 二极管类型 标准   电压 - DC 反向（Vr）（最大值） 200V  Vishay Semiconductor Diodes Division 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） 200V  二极管 - 整流器 - 阵列 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） 200V  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） 200V   速度 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）  Vishay Semiconductor Diodes Division 速度 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）  二极管 - 整流器 - 阵列 速度 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 速度 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）   电流 - 平均整流（Io）（每二极管） 4A  Vishay Semiconductor Diodes Division 电流 - 平均整流（Io）（每二极管） 4A  二极管 - 整流器 - 阵列 电流 - 平均整流（Io）（每二极管） 4A  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 电流 - 平均整流（Io）（每二极管） 4A   二极管配置 1 对共阴极  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管配置 1 对共阴极  二极管 - 整流器 - 阵列 二极管配置 1 对共阴极  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 二极管配置 1 对共阴极