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VS-FC220SA20
VS-FC220SA20 -
MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division
制造商产品编号:
VS-FC220SA20
仓库库存编号:
VS-FC220SA20-ND
描述:
MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
底座安装 N 沟道 200V 220A(Tc) 789W(Tc) SOT-227
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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VS-FC220SA20产品属性
产品规格
封装/外壳
SOT-227-4,miniBLOC
制造商
Vishay Semiconductor Diodes Division
安装类型
底座安装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
-
包装
散装
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-227
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
350nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
7 毫欧 @ 150A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
220A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
21000pF @ 50V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5.1V @ 500μA
功率耗散(最大值)
789W(Tc)
漏源电压(Vdss)
200V
关键词
产品资料
数据列表
VS-FC220SA20
标准包装
160
其它名称
VSFC220SA20
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
IXYS
MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 220A(Tc) 1090W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN230N20T
仓库库存编号:
IXFN230N20T-ND
无铅
搜索
IXYS
500V POLAR2 HIPERFETS
详细描述:底座安装 N 沟道 68A(Tc) 780W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN94N50P2
仓库库存编号:
IXFN94N50P2-ND
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制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
安装类型 底座安装
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工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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系列 -
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包装 散装
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零件状态 在售
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供应商器件封装 SOT-227
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 350nC @ 10V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 7 毫欧 @ 150A,10V
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 220A(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 21000pF @ 50V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5.1V @ 500μA
Vishay Semiconductor Diodes Division 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5.1V @ 500μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5.1V @ 500μA
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功率耗散(最大值) 789W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 200V
Vishay Semiconductor Diodes Division 漏源电压(Vdss) 200V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 200V
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