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产品规格

封装/外壳	SOT-227-4，miniBLOC
制造商	Vishay Semiconductor Diodes Division
安装类型	底座安装
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	TrenchFET?
零件状态	在售
供应商器件封装	SOT-227
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	375nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	2.15 毫欧 @ 200A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	435A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	17300pF @ 25V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.8V @ 750μA
功率耗散（最大值）	652W（Tc）
漏源电压（Vdss）	100V
关键词

产品资料

数据列表	VS-FC420SA10
标准包装	160
其它名称	VS-FC420SA10GICT

封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC  Vishay Semiconductor Diodes Division 封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC   制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division   安装类型 底座安装  Vishay Semiconductor Diodes Division 安装类型 底座安装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 底座安装  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 底座安装   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Vishay Semiconductor Diodes Division 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 TrenchFET?  Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 TrenchFET?  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 TrenchFET?  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 TrenchFET?   零件状态 在售  Vishay Semiconductor Diodes Division 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-227  Vishay Semiconductor Diodes Division 供应商器件封装 SOT-227  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-227  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-227   技术 MOSFET（金属氧化物）  Vishay Semiconductor Diodes Division 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Vishay Semiconductor Diodes Division Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 375nC @ 10V  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 375nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 375nC @ 10V  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 375nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.15 毫欧 @ 200A，10V  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.15 毫欧 @ 200A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.15 毫欧 @ 200A，10V  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.15 毫欧 @ 200A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Vishay Semiconductor Diodes Division 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V   FET 类型 N 沟道  Vishay Semiconductor Diodes Division FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 435A（Tc）  Vishay Semiconductor Diodes Division 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 435A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 435A（Tc）  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 435A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 17300pF @ 25V  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 17300pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 17300pF @ 25V  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 17300pF @ 25V   FET 功能 -  Vishay Semiconductor Diodes Division FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.8V @ 750μA  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.8V @ 750μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.8V @ 750μA  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.8V @ 750μA   功率耗散（最大值） 652W（Tc）  Vishay Semiconductor Diodes Division 功率耗散（最大值） 652W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 652W（Tc）  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 652W（Tc）   漏源电压（Vdss） 100V  Vishay Semiconductor Diodes Division 漏源电压（Vdss） 100V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 100V  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 100V