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产品规格

封装/外壳	SOT-227-4，miniBLOC
制造商	Vishay Semiconductor Diodes Division
安装类型	底座安装
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
系列	HEXFRED?
零件状态	在售
供应商器件封装	SOT-227
输入	标准
配置	单一
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Power - Max	431W
电流 - 集电极截止（最大值）	50μA
Current - Collector (Ic) (Max)	84A
IGBT 类型	NPT
NTC 热敏电阻	无
不同?Vce 时的输入电容（Cies）	-
关键词

产品资料

数据列表	VS-GB55NA120UX
标准包装	160

封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC  Vishay Semiconductor Diodes Division 封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC  晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC   制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division   安装类型 底座安装  Vishay Semiconductor Diodes Division 安装类型 底座安装  晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装   工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Vishay Semiconductor Diodes Division 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）   系列 HEXFRED?  Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 HEXFRED?  晶体管 - IGBT - 模块 系列 HEXFRED?  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 系列 HEXFRED?   零件状态 在售  Vishay Semiconductor Diodes Division 零件状态 在售  晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 在售  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-227  Vishay Semiconductor Diodes Division 供应商器件封装 SOT-227  晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 SOT-227  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 SOT-227   输入 标准  Vishay Semiconductor Diodes Division 输入 标准  晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准   配置 单一  Vishay Semiconductor Diodes Division 配置 单一  晶体管 - IGBT - 模块 配置 单一  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 配置 单一   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Vishay Semiconductor Diodes Division Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 431W  Vishay Semiconductor Diodes Division Power - Max 431W  晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 431W  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 431W   电流 - 集电极截止（最大值） 50μA  Vishay Semiconductor Diodes Division 电流 - 集电极截止（最大值） 50μA  晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止（最大值） 50μA  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止（最大值） 50μA   Current - Collector (Ic) (Max) 84A  Vishay Semiconductor Diodes Division Current - Collector (Ic) (Max) 84A  晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 84A  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 84A   IGBT 类型 NPT  Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 类型 NPT  晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 NPT  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 NPT   NTC 热敏电阻 无  Vishay Semiconductor Diodes Division NTC 热敏电阻 无  晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无   不同?Vce 时的输入电容（Cies） -  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Vce 时的输入电容（Cies） -  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） -  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） -