VS-GB70LA60UF,Vishay Semiconductor Diodes Division,分立半导体产品,晶体管 - IGBT - 模块
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

VS-GB70LA60UF - 

IGBT 600V 111A 447W SOT-227

  • 已过时的产品。
Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB70LA60UF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
VS-GB70LA60UF
仓库库存编号:
VS-GB70LA60UF-ND
描述:
IGBT 600V 111A 447W SOT-227
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Module NPT Single 600V 111A 447W Chassis Mount SOT-227
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

VS-GB70LA60UF产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-227-4,miniBLOC  
  制造商  Vishay Semiconductor Diodes Division  
  安装类型  底座安装  
  工作温度  -40°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  SOT-227  
  输入  标准  
  配置  单一  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  600V  
  Power - Max  447W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  111A  
  IGBT 类型  NPT  
  不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)  2.44V @ 15V,70A  
  NTC 热敏电阻  无  
  不同?Vce 时的输入电容(Cies)  -  
  Current - Collector Cutoff (Max)  100μA  
关键词         

产品资料
标准包装 180
其它名称 VSGB70LA60UF

VS-GB70LA60UF相关搜索

封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC  Vishay Semiconductor Diodes Division 封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC  晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC   制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division   安装类型 底座安装  Vishay Semiconductor Diodes Division 安装类型 底座安装  晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装   工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)  Vishay Semiconductor Diodes Division 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)   系列 -  Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 -  晶体管 - IGBT - 模块 系列 -  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 系列 -   零件状态 过期  Vishay Semiconductor Diodes Division 零件状态 过期  晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 过期  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 过期   供应商器件封装 SOT-227  Vishay Semiconductor Diodes Division 供应商器件封装 SOT-227  晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 SOT-227  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 SOT-227   输入 标准  Vishay Semiconductor Diodes Division 输入 标准  晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准   配置 单一  Vishay Semiconductor Diodes Division 配置 单一  晶体管 - IGBT - 模块 配置 单一  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 配置 单一   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Vishay Semiconductor Diodes Division Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 447W  Vishay Semiconductor Diodes Division Power - Max 447W  晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 447W  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 447W   Current - Collector (Ic) (Max) 111A  Vishay Semiconductor Diodes Division Current - Collector (Ic) (Max) 111A  晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 111A  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 111A   IGBT 类型 NPT  Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 类型 NPT  晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 NPT  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 NPT   不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.44V @ 15V,70A  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.44V @ 15V,70A  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.44V @ 15V,70A  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.44V @ 15V,70A   NTC 热敏电阻 无  Vishay Semiconductor Diodes Division NTC 热敏电阻 无  晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无   不同?Vce 时的输入电容(Cies) -  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Vce 时的输入电容(Cies) -  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容(Cies) -  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容(Cies) -   Current - Collector Cutoff (Max) 100μA  Vishay Semiconductor Diodes Division Current - Collector Cutoff (Max) 100μA  晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector Cutoff (Max) 100μA  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector Cutoff (Max) 100μA  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号