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VS-GBPC3510W
VS-GBPC3510W -
RECTIFIER BRIDGE 35A 1000V GBPCW
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division
制造商产品编号:
VS-GBPC3510W
仓库库存编号:
VS-GBPC3510WVS-ND
描述:
RECTIFIER BRIDGE 35A 1000V GBPCW
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bridge Rectifier Single Phase 1000V 35A Through Hole GBPC-W
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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VS-GBPC3510W产品属性
产品规格
封装/外壳
4-方形,GBPC-W
制造商
Vishay Semiconductor Diodes Division
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
托盘
零件状态
在售
供应商器件封装
GBPC-W
技术
标准
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
2mA @ 1000V
电流 - 平均整流(Io)
35A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
-
二极管类型
单相
电压 - 峰值反向(最大值)
1000V
关键词
产品资料
数据列表
VS-GBPC Series
标准包装
100
其它名称
GBPC3510WIR
GBPC3510WIR-ND
GBPC3510WVS
GBPC3510WVS-ND
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP
详细描述:标准 通孔 二极管 15A TO-220-2 整包
型号:
VS-15ETH06FPPBF
仓库库存编号:
VS-15ETH06FPPBF-ND
别名:*15ETH06FPPBF
15ETH06FPPBF
15ETH06FPPBF-ND
VS15ETH06FPPBF
VS15ETH06FPPBF-ND
无铅
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IXYS
DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO247
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 45A Through Hole TO-3P-3 Full Pack
型号:
DSA90C200HB
仓库库存编号:
DSA90C200HB-ND
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247
详细描述:通孔 N 沟道 68.5A(Tc) 500W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R041CFD
仓库库存编号:
IPW65R041CFD-ND
别名:IPW65R041CFDFKSA1
SP000756288
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 46A TO-247-3
详细描述:通孔 N 沟道 46A(Tc) 227W(Tc) TO-247-3
型号:
IPW65R045C7FKSA1
仓库库存编号:
IPW65R045C7FKSA1-ND
别名:SP000929412
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封装/外壳 4-方形,GBPC-W
Vishay Semiconductor Diodes Division 封装/外壳 4-方形,GBPC-W
二极管 - 桥式整流器 封装/外壳 4-方形,GBPC-W
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 桥式整流器 封装/外壳 4-方形,GBPC-W
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
二极管 - 桥式整流器 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 桥式整流器 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
安装类型 通孔
Vishay Semiconductor Diodes Division 安装类型 通孔
二极管 - 桥式整流器 安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Vishay Semiconductor Diodes Division 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
二极管 - 桥式整流器 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 桥式整流器 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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包装 托盘
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