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产品规格

封装/外壳	INT-A-PAK（3 + 4）
制造商	Vishay Semiconductor Diodes Division
安装类型	底座安装
工作温度	175°C（TJ）
系列	-
零件状态	在售
供应商器件封装	INT-A-PAK
输入	标准
配置	半桥
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	417W
电流 - 集电极截止（最大值）	5mA
Current - Collector (Ic) (Max)	160A
IGBT 类型	沟道
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.1V @ 15V，100A
NTC 热敏电阻	无
不同?Vce 时的输入电容（Cies）	7.71nF @ 30V
关键词

产品资料

数据列表	VS-GT100TP60N
标准包装	24
其它名称	VSGT100TP60N

封装/外壳 INT-A-PAK（3 + 4）  Vishay Semiconductor Diodes Division 封装/外壳 INT-A-PAK（3 + 4）  晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 INT-A-PAK（3 + 4）  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 INT-A-PAK（3 + 4）   制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division   安装类型 底座安装  Vishay Semiconductor Diodes Division 安装类型 底座安装  晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装   工作温度 175°C（TJ）  Vishay Semiconductor Diodes Division 工作温度 175°C（TJ）  晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 175°C（TJ）  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 175°C（TJ）   系列 -  Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 -  晶体管 - IGBT - 模块 系列 -  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 系列 -   零件状态 在售  Vishay Semiconductor Diodes Division 零件状态 在售  晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 在售  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 在售   供应商器件封装 INT-A-PAK  Vishay Semiconductor Diodes Division 供应商器件封装 INT-A-PAK  晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 INT-A-PAK  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 INT-A-PAK   输入 标准  Vishay Semiconductor Diodes Division 输入 标准  晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准   配置 半桥  Vishay Semiconductor Diodes Division 配置 半桥  晶体管 - IGBT - 模块 配置 半桥  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 配置 半桥   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Vishay Semiconductor Diodes Division Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 417W  Vishay Semiconductor Diodes Division Power - Max 417W  晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 417W  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 417W   电流 - 集电极截止（最大值） 5mA  Vishay Semiconductor Diodes Division 电流 - 集电极截止（最大值） 5mA  晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止（最大值） 5mA  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止（最大值） 5mA   Current - Collector (Ic) (Max) 160A  Vishay Semiconductor Diodes Division Current - Collector (Ic) (Max) 160A  晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 160A  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 160A   IGBT 类型 沟道  Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 类型 沟道  晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 沟道  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 沟道   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，100A  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，100A  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，100A  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，100A   NTC 热敏电阻 无  Vishay Semiconductor Diodes Division NTC 热敏电阻 无  晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无   不同?Vce 时的输入电容（Cies） 7.71nF @ 30V  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 7.71nF @ 30V  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 7.71nF @ 30V  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 7.71nF @ 30V