VS-GT200TP065N,Vishay Semiconductor Diodes Division,分立半导体产品,晶体管 - IGBT - 模块
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VS-GT200TP065N - 

IGBT

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Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GT200TP065N
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
VS-GT200TP065N
仓库库存编号:
VS-GT200TP065N-ND
描述:
IGBT
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Module Trench Half Bridge 650V 221A 600W Chassis Mount INT-A-PAK
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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VS-GT200TP065N产品属性


产品规格
  封装/外壳  INT-A-PAK  
  制造商  Vishay Semiconductor Diodes Division  
  安装类型  底座安装  
  工作温度  -40°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  -  
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  INT-A-PAK  
  输入  标准  
  配置  半桥  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  650V  
  Power - Max  600W  
  电流 - 集电极截止(最大值)  60μA  
  Current - Collector (Ic) (Max)  221A  
  IGBT 类型  沟道  
  不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)  2.12V @ 15V,200A  
  NTC 热敏电阻  无  
  不同?Vce 时的输入电容(Cies)  -  
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产品资料
数据列表 VS-GT200TP065N
标准包装 24

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