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产品规格

封装/外壳	双 INT-A-PAK（3 + 8）
制造商	Vishay Semiconductor Diodes Division
安装类型	底座安装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
零件状态	过期
供应商器件封装	双 INT-A-PAK
输入	标准
配置	半桥
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Power - Max	2119W
Current - Collector (Ic) (Max)	600A
IGBT 类型	沟道
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.15V @ 15V，400A
NTC 热敏电阻	无
不同?Vce 时的输入电容（Cies）	28.8nF @ 25V
Current - Collector Cutoff (Max)	5mA
关键词

产品资料

标准包装	12
其它名称	VSGT400TH120N

封装/外壳 双 INT-A-PAK（3 + 8）  Vishay Semiconductor Diodes Division 封装/外壳 双 INT-A-PAK（3 + 8）  晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 双 INT-A-PAK（3 + 8）  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 双 INT-A-PAK（3 + 8）   制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division   安装类型 底座安装  Vishay Semiconductor Diodes Division 安装类型 底座安装  晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装   工作温度 150°C（TJ）  Vishay Semiconductor Diodes Division 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 150°C（TJ）  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 -  晶体管 - IGBT - 模块 系列 -  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 系列 -   零件状态 过期  Vishay Semiconductor Diodes Division 零件状态 过期  晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 过期  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 过期   供应商器件封装 双 INT-A-PAK  Vishay Semiconductor Diodes Division 供应商器件封装 双 INT-A-PAK  晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 双 INT-A-PAK  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 双 INT-A-PAK   输入 标准  Vishay Semiconductor Diodes Division 输入 标准  晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准   配置 半桥  Vishay Semiconductor Diodes Division 配置 半桥  晶体管 - IGBT - 模块 配置 半桥  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 配置 半桥   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Vishay Semiconductor Diodes Division Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 2119W  Vishay Semiconductor Diodes Division Power - Max 2119W  晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 2119W  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 2119W   Current - Collector (Ic) (Max) 600A  Vishay Semiconductor Diodes Division Current - Collector (Ic) (Max) 600A  晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 600A  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 600A   IGBT 类型 沟道  Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 类型 沟道  晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 沟道  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 沟道   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.15V @ 15V，400A  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.15V @ 15V，400A  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.15V @ 15V，400A  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.15V @ 15V，400A   NTC 热敏电阻 无  Vishay Semiconductor Diodes Division NTC 热敏电阻 无  晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无   不同?Vce 时的输入电容（Cies） 28.8nF @ 25V  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 28.8nF @ 25V  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 28.8nF @ 25V  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 28.8nF @ 25V   Current - Collector Cutoff (Max) 5mA  Vishay Semiconductor Diodes Division Current - Collector Cutoff (Max) 5mA  晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector Cutoff (Max) 5mA  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector Cutoff (Max) 5mA