VT2060GHM3/4W,Vishay Semiconductor Diodes Division,分立半导体产品,二极管 - 整流器 - 阵列
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VT2060GHM3/4W
VT2060GHM3/4W -
RECT SCHOTTKY 60V 10A TO-220AB
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division
制造商产品编号:
VT2060GHM3/4W
仓库库存编号:
VT2060GHM3/4W-ND
描述:
RECT SCHOTTKY 60V 10A TO-220AB
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 10A Through Hole TO-220-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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VT2060GHM3/4W产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
Vishay Semiconductor Diodes Division
安装类型
通孔
系列
汽车级,AEC-Q101
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-220AB
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
700μA @ 60V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
900mV @ 10A
工作温度 - 结
-55°C ~ 150°C
二极管类型
肖特基
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)
60V
速度
快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 平均整流(Io)(每二极管)
10A
二极管配置
1 对共阴极
关键词
产品资料
数据列表
V(I)T2060G
标准包装
1,000
其它名称
VT2060GHM34W
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封装/外壳 TO-220-3
Vishay Semiconductor Diodes Division 封装/外壳 TO-220-3
二极管 - 整流器 - 阵列 封装/外壳 TO-220-3
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 封装/外壳 TO-220-3
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
二极管 - 整流器 - 阵列 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
安装类型 通孔
Vishay Semiconductor Diodes Division 安装类型 通孔
二极管 - 整流器 - 阵列 安装类型 通孔
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 安装类型 通孔
系列 汽车级,AEC-Q101
Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 汽车级,AEC-Q101
二极管 - 整流器 - 阵列 系列 汽车级,AEC-Q101
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 系列 汽车级,AEC-Q101
包装 管件
Vishay Semiconductor Diodes Division 包装 管件
二极管 - 整流器 - 阵列 包装 管件
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 包装 管件
零件状态 在售
Vishay Semiconductor Diodes Division 零件状态 在售
二极管 - 整流器 - 阵列 零件状态 在售
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 零件状态 在售
供应商器件封装 TO-220AB
Vishay Semiconductor Diodes Division 供应商器件封装 TO-220AB
二极管 - 整流器 - 阵列 供应商器件封装 TO-220AB
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 供应商器件封装 TO-220AB
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 700μA @ 60V
Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 700μA @ 60V
二极管 - 整流器 - 阵列 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 700μA @ 60V
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 700μA @ 60V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 900mV @ 10A
Vishay Semiconductor Diodes Division 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 900mV @ 10A
二极管 - 整流器 - 阵列 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 900mV @ 10A
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 900mV @ 10A
工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C
Vishay Semiconductor Diodes Division 工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C
二极管 - 整流器 - 阵列 工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C
二极管类型 肖特基
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管类型 肖特基
二极管 - 整流器 - 阵列 二极管类型 肖特基
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 阵列 二极管类型 肖特基
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 60V
Vishay Semiconductor Diodes Division 电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 60V
二极管 - 整流器 - 阵列 电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 60V
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速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
Vishay Semiconductor Diodes Division 速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管 - 整流器 - 阵列 速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
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电流 - 平均整流(Io)(每二极管) 10A
Vishay Semiconductor Diodes Division 电流 - 平均整流(Io)(每二极管) 10A
二极管 - 整流器 - 阵列 电流 - 平均整流(Io)(每二极管) 10A
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二极管配置 1 对共阴极
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