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产品规格

封装/外壳	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
制造商	Vishay Semiconductor Diodes Division
安装类型	表面贴装
工作温度	-65°C ~ 175°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	迷你型 MELF
容差	±5%
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流	100nA @ 30V
不同 If 时的电压 - 正向（Vf）	1.5V @ 200mA
Power - Max	500mW
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）	39V
阻抗（最大值）（Zzt）	80 Ohms
关键词

产品资料

标准包装	2,500

封装/外壳 DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80  Vishay Semiconductor Diodes Division 封装/外壳 DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80  二极管 - 齐纳 - 单 封装/外壳 DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 封装/外壳 DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80   制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  二极管 - 齐纳 - 单 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division   安装类型 表面贴装  Vishay Semiconductor Diodes Division 安装类型 表面贴装  二极管 - 齐纳 - 单 安装类型 表面贴装  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）  Vishay Semiconductor Diodes Division 工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）  二极管 - 齐纳 - 单 工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）   系列 -  Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 -  二极管 - 齐纳 - 单 系列 -  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   Vishay Semiconductor Diodes Division 包装 带卷（TR）   二极管 - 齐纳 - 单 包装 带卷（TR）   Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Vishay Semiconductor Diodes Division 零件状态 过期  二极管 - 齐纳 - 单 零件状态 过期  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 迷你型 MELF  Vishay Semiconductor Diodes Division 供应商器件封装 迷你型 MELF  二极管 - 齐纳 - 单 供应商器件封装 迷你型 MELF  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 供应商器件封装 迷你型 MELF   容差 ±5%  Vishay Semiconductor Diodes Division 容差 ±5%  二极管 - 齐纳 - 单 容差 ±5%  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 容差 ±5%   不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 100nA @ 30V  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 100nA @ 30V  二极管 - 齐纳 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 100nA @ 30V  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 100nA @ 30V   不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.5V @ 200mA  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.5V @ 200mA  二极管 - 齐纳 - 单 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.5V @ 200mA  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.5V @ 200mA   Power - Max 500mW  Vishay Semiconductor Diodes Division Power - Max 500mW  二极管 - 齐纳 - 单 Power - Max 500mW  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 Power - Max 500mW   电压 - 齐纳（标称值）（Vz） 39V  Vishay Semiconductor Diodes Division 电压 - 齐纳（标称值）（Vz） 39V  二极管 - 齐纳 - 单 电压 - 齐纳（标称值）（Vz） 39V  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 电压 - 齐纳（标称值）（Vz） 39V   阻抗（最大值）（Zzt） 80 Ohms  Vishay Semiconductor Diodes Division 阻抗（最大值）（Zzt） 80 Ohms  二极管 - 齐纳 - 单 阻抗（最大值）（Zzt） 80 Ohms  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 阻抗（最大值）（Zzt） 80 Ohms