VSMB294008RG,Vishay Semiconductor Opto Division,光电元件,红外,UV,可见光发射器
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VSMB294008RG
VSMB294008RG -
EMITTER IR
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Vishay Semiconductor Opto Division
Vishay Semiconductor Opto Division
制造商产品编号:
VSMB294008RG
仓库库存编号:
VSMB294008RGCT-ND
描述:
EMITTER IR
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
2A(4 周)
详细描述:
Infrared (IR) Emitter 940nm 1.45V 100mA 30mW/sr @ 100mA 14° 2-SMD, Z-Bend
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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VSMB294008RG产品属性
产品规格
封装/外壳
2-SMD,Z形弯曲d
制造商
Vishay Semiconductor Opto Division
安装类型
表面贴装
工作温度
-40°C ~ 85°C(TA)
类型
红外(IR)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
电压 - 正向(Vf)(典型值)
1.45V
视角
14°
朝向
顶视图
波长
940nm
电流 - DC 正向(If)
100mA
不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值)
30mW/sr @ 100mA
关键词
产品资料
数据列表
VSMB294008(R)G
标准包装
1
其它名称
VSMB294008RGCT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Vishay Semiconductor Opto Division
PHOTODIODE PIN 940NM REV GWING
详细描述:Photodiode 940nm 100ns 30° 2-SMD, Z-Bend
型号:
VEMD2000X01
仓库库存编号:
VEMD2000X01CT-ND
别名:VEMD2000X01CT
无铅
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Vishay Semiconductor Opto Division
PHOTOTRANSISTOR NPN REV GULLWING
详细描述:Phototransistor 860nm Top View 2-SMD, Z-Bend
型号:
VEMT2000X01
仓库库存编号:
VEMT2000X01CT-ND
别名:VEMT2000X01CT
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
PHOTOTRANS IR 940NM GW TOPLOOKER
详细描述:Phototransistor 940nm Top View 2-SMD, Z-Bend
型号:
QSB363ZR
仓库库存编号:
QSB363ZRCT-ND
别名:QSB363ZRCT
无铅
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OSRAM Opto Semiconductors Inc.
EMITTER IR 860NM 70MA 1206
详细描述:Infrared (IR) Emitter 860nm 1.6V 70mA 100mW/sr @ 70mA 20° 1206 (3216 Metric)
型号:
SFH 4059
仓库库存编号:
475-3043-1-ND
别名:475-3043-1
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Opto Division
EMITTER IR 940NM 100MA SMD
详细描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.35V 100mA 30mW/sr @ 100mA 14° 2-SMD, Z-Bend
型号:
VSMB294008G
仓库库存编号:
VSMB294008GCT-ND
别名:VSMB294008GCT
无铅
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封装/外壳 2-SMD,Z形弯曲d
Vishay Semiconductor Opto Division 封装/外壳 2-SMD,Z形弯曲d
红外,UV,可见光发射器 封装/外壳 2-SMD,Z形弯曲d
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制造商 Vishay Semiconductor Opto Division
Vishay Semiconductor Opto Division 制造商 Vishay Semiconductor Opto Division
红外,UV,可见光发射器 制造商 Vishay Semiconductor Opto Division
Vishay Semiconductor Opto Division 红外,UV,可见光发射器 制造商 Vishay Semiconductor Opto Division
安装类型 表面贴装
Vishay Semiconductor Opto Division 安装类型 表面贴装
红外,UV,可见光发射器 安装类型 表面贴装
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工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
Vishay Semiconductor Opto Division 工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
红外,UV,可见光发射器 工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
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类型 红外(IR)
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系列 -
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包装 剪切带(CT)
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零件状态 在售
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电压 - 正向(Vf)(典型值) 1.45V
Vishay Semiconductor Opto Division 电压 - 正向(Vf)(典型值) 1.45V
红外,UV,可见光发射器 电压 - 正向(Vf)(典型值) 1.45V
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视角 14°
Vishay Semiconductor Opto Division 视角 14°
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朝向 顶视图
Vishay Semiconductor Opto Division 朝向 顶视图
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波长 940nm
Vishay Semiconductor Opto Division 波长 940nm
红外,UV,可见光发射器 波长 940nm
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电流 - DC 正向(If) 100mA
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红外,UV,可见光发射器 电流 - DC 正向(If) 100mA
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不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值) 30mW/sr @ 100mA
Vishay Semiconductor Opto Division 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值) 30mW/sr @ 100mA
红外,UV,可见光发射器 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值) 30mW/sr @ 100mA
Vishay Semiconductor Opto Division 红外,UV,可见光发射器 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值) 30mW/sr @ 100mA
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