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产品规格

封装/外壳	TO-206AA，TO-18-3 金属罐
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	通孔
工作温度	-65°C ~ 200°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-206AA（TO-18）
FET 类型	N 沟道
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	14pF @ 20V
Power - Max	1.8W
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）	50mA @ 20V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）	4V @ 1nA
电压 - 击穿（V（BR）GSS）	40V
电阻 - RDS（开）	30 欧姆
关键词

产品资料

标准包装	200

封装/外壳 TO-206AA，TO-18-3 金属罐  Vishay Siliconix 封装/外壳 TO-206AA，TO-18-3 金属罐  晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-206AA，TO-18-3 金属罐  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-206AA，TO-18-3 金属罐   制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix  晶体管 - JFET 制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 制造商 Vishay Siliconix   安装类型 通孔  Vishay Siliconix 安装类型 通孔  晶体管 - JFET 安装类型 通孔  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 安装类型 通孔   工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）  Vishay Siliconix 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）  晶体管 - JFET 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）   系列 -  Vishay Siliconix 系列 -  晶体管 - JFET 系列 -  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 系列 -   包装 散装   Vishay Siliconix 包装 散装   晶体管 - JFET 包装 散装   Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 包装 散装    零件状态 过期  Vishay Siliconix 零件状态 过期  晶体管 - JFET 零件状态 过期  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-206AA（TO-18）  Vishay Siliconix 供应商器件封装 TO-206AA（TO-18）  晶体管 - JFET 供应商器件封装 TO-206AA（TO-18）  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 供应商器件封装 TO-206AA（TO-18）   FET 类型 N 沟道  Vishay Siliconix FET 类型 N 沟道  晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 14pF @ 20V  Vishay Siliconix 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 14pF @ 20V  晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 14pF @ 20V  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 14pF @ 20V   Power - Max 1.8W  Vishay Siliconix Power - Max 1.8W  晶体管 - JFET Power - Max 1.8W  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET Power - Max 1.8W   不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 50mA @ 20V  Vishay Siliconix 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 50mA @ 20V  晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 50mA @ 20V  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 50mA @ 20V   不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 4V @ 1nA  Vishay Siliconix 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 4V @ 1nA  晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 4V @ 1nA  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 4V @ 1nA   电压 - 击穿（V（BR）GSS） 40V  Vishay Siliconix 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 40V  晶体管 - JFET 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 40V  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 40V   电阻 - RDS（开） 30 欧姆  Vishay Siliconix 电阻 - RDS（开） 30 欧姆  晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） 30 欧姆  Vishay Siliconix 晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） 30 欧姆