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IRF730ASPBF - 

MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK

Vishay Siliconix IRF730ASPBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IRF730ASPBF
仓库库存编号：
IRF730ASPBF-ND
描述：
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRF730ASPBF产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  D2PAK  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  22nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  1 欧姆 @ 3.3A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  5.5A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  600pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4.5V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  74W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  400V  
关键词         

产品资料
数据列表 IRF730AS,AL, SiHF730AS,AL
标准包装 1,000
其它名称 *IRF730ASPBF

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Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Tape and Reel (Alt: IRF730ASPBF)

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MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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Vishay Siliconix - IRF730ASPBF - MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK		Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 74W（Tc） D2PAK

型号：IRF730ASPBF
仓库库存编号：IRF730ASPBF-ND
别名：*IRF730ASPBF <br>

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IRF730ASPBF|INTERNATIONAL RECTIFIERIRF730ASPBF
INTERNATIONAL RECTIFIER		场效应管 MOSFET N沟道 400V 5.5A D2-PAK
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Vishay Siliconix		MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
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IRF730ASPBF|VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIERIRF730ASPBF
VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER		场效应管 MOSFET N D2-PAK 400V 5.5A
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