IRF740AL,Vishay Siliconix,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

IRF740AL - 

MOSFET N-CH 400V 10A TO-262

  • 已过时的产品。
Vishay Siliconix IRF740AL
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IRF740AL
仓库库存编号:
IRF740AL-ND
描述:
MOSFET N-CH 400V 10A TO-262
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 400V 10A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) I2PAK
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

IRF740AL产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  I2PAK  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  36nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  550 毫欧 @ 6A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  10A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  1030pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  4V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  3.1W(Ta),125W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  400V  
关键词         

产品资料
数据列表 IRF740ASPBF, ALPBF
标准包装 50
其它名称 *IRF740AL

IRF740ALROHS替代

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

IRF740AL相关搜索

封装/外壳 TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA  Vishay Siliconix 封装/外壳 TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA  晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA   制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix  晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix   安装类型 通孔  Vishay Siliconix 安装类型 通孔  晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Vishay Siliconix 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)   系列 -  Vishay Siliconix 系列 -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Vishay Siliconix 包装 管件   晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件   Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 过期  Vishay Siliconix 零件状态 过期  晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 I2PAK  Vishay Siliconix 供应商器件封装 I2PAK  晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 I2PAK  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 I2PAK   技术 MOSFET(金属氧化物)  Vishay Siliconix 技术 MOSFET(金属氧化物)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)   Vgs(最大值) ±30V  Vishay Siliconix Vgs(最大值) ±30V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V  Vishay Siliconix 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 550 毫欧 @ 6A,10V  Vishay Siliconix 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 550 毫欧 @ 6A,10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 550 毫欧 @ 6A,10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 550 毫欧 @ 6A,10V   驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V  Vishay Siliconix 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V   FET 类型 N 沟道  Vishay Siliconix FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc)  Vishay Siliconix 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc)  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc)   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1030pF @ 25V  Vishay Siliconix 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1030pF @ 25V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1030pF @ 25V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1030pF @ 25V   FET 功能 -  Vishay Siliconix FET 功能 -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA  Vishay Siliconix 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA   功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),125W(Tc)  Vishay Siliconix 功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),125W(Tc)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),125W(Tc)  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),125W(Tc)   漏源电压(Vdss) 400V  Vishay Siliconix 漏源电压(Vdss) 400V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 400V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 400V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号