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IRF820SPBF - 

MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK

Vishay Siliconix IRF820SPBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IRF820SPBF
仓库库存编号：
IRF820SPBF-ND
描述：
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRF820SPBF产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  D2PAK  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  24nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  3 欧姆 @ 1.5A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  2.5A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  360pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  3.1W（Ta），50W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  500V  
关键词         

产品资料
数据列表 IRF820S, SiHF820S
标准包装 50
其它名称 *IRF820SPBF

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封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  Vishay Siliconix 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB   制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix   安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Vishay Siliconix 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Vishay Siliconix 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Vishay Siliconix 包装 管件   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件   Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  Vishay Siliconix 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 D2PAK  Vishay Siliconix 供应商器件封装 D2PAK  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 D2PAK  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 D2PAK   技术 MOSFET（金属氧化物）  Vishay Siliconix 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Vishay Siliconix Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V  Vishay Siliconix 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 1.5A，10V  Vishay Siliconix 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 1.5A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 1.5A，10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 1.5A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Vishay Siliconix 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V   FET 类型 N 沟道  Vishay Siliconix FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.5A（Tc）  Vishay Siliconix 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.5A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.5A（Tc）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.5A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V  Vishay Siliconix 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V   FET 功能 -  Vishay Siliconix FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  Vishay Siliconix 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA   功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），50W（Tc）  Vishay Siliconix 功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），50W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），50W（Tc）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），50W（Tc）   漏源电压（Vdss） 500V  Vishay Siliconix 漏源电压（Vdss） 500V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 500V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 500V  
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MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp

RoHS: Compliant

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MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp

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Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

RoHS: Compliant | pbFree: No

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Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Bulk (Alt: IRF820SPBF)

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Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IRF820SPBF
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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 500V, RDS(ON) 3 Ohms, ID 2.5A, SMD-220, PD 50W, VGS +/-20V

RoHS: Compliant

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IRF820SPBF
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MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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IRF820SPBF|VISHAYIRF820SPBF
VISHAY		单 N沟道 150 V 3 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - D2PAK-3
Rohs

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IRF820SPBF|Vishay SiliconixIRF820SPBF
Vishay Siliconix		MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
Rohs

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IRF820SPBF|VISHAYIRF820SPBF
VISHAY		单 N沟道 150 V 3 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - D2PAK-3
Rohs

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Vishay Siliconix - IRF820SPBF - MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK		Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK

型号：IRF820SPBF
仓库库存编号：IRF820SPBF-ND
别名：*IRF820SPBF <br>

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Vishay PCS - IRF820SPBF - VGS +/-20V PD 50W SMD-220 ID 2.5A RDS(ON) 3 Ohms VDSS 500V N-Ch MOSFET, Power|70078863 | ChuangWei Electronics		Vishay PCS
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 500V; RDS(ON) 3 Ohms; ID 2.5A; SMD-220; PD 50W; VGS +/-20V

型号：IRF820SPBF
仓库库存编号：70078863

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IRF820SPBF|Vishay SiliconixIRF820SPBF
Vishay Siliconix		MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
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