IRF9530PBF,Vishay Siliconix,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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IRF9530PBF
IRF9530PBF -
MOSFET P-CH 100V 12A TO-220AB
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
制造商产品编号:
IRF9530PBF
仓库库存编号:
IRF9530PBF-ND
描述:
MOSFET P-CH 100V 12A TO-220AB
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 P 沟道 12A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IRF9530PBF产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
Vishay Siliconix
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-220AB
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
38nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
300 毫欧 @ 7.2A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
12A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
860pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
功率耗散(最大值)
88W(Tc)
漏源电压(Vdss)
100V
关键词
产品资料
数据列表
IRF9530PBF
Packaging Information
标准包装
50
其它名称
*IRF9530PBF
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Vishay Siliconix
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详细描述:通孔 N 沟道 5.6A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF510PBF
仓库库存编号:
IRF510PBF-ND
别名:*IRF510PBF
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 9.2A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF520PBF
仓库库存编号:
IRF520PBF-ND
别名:*IRF520PBF
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 14A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF530PBF
仓库库存编号:
IRF530PBF-ND
别名:*IRF530PBF
无铅
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TRANS NPN 40V 0.2A TO92
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 200mA 250MHz 600mW Through Hole TO-92
型号:
2N3904-AP
仓库库存编号:
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别名:2N3904-APCT
无铅
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Central Semiconductor Corp
TRANS PNP 150V 0.6A TO-92
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 150V 600mA 300MHz 625mW Through Hole TO-92
型号:
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仓库库存编号:
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制造商 Vishay Siliconix
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安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
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功率耗散(最大值) 88W(Tc)
Vishay Siliconix 功率耗散(最大值) 88W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 88W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 100V
Vishay Siliconix 漏源电压(Vdss) 100V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 100V
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 100V
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