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IRFBC30AL
IRFBC30AL -
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
制造商产品编号:
IRFBC30AL
仓库库存编号:
IRFBC30AL-ND
描述:
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 600V 3.6A(Tc) 74W(Tc) I2PAK
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IRFBC30AL产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
制造商
Vishay Siliconix
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
过期
供应商器件封装
I2PAK
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
23nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
2.2 欧姆 @ 2.2A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3.6A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
510pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250μA
功率耗散(最大值)
74W(Tc)
漏源电压(Vdss)
600V
关键词
产品资料
数据列表
IRFBC30AS,AL, SiHFBC30AS,AL
标准包装
50
其它名称
*IRFBC30AL
IRFBC30ALROHS替代
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.6A(Tc) 74W(Tc) I2PAK
型号:
IRFBC30ALPBF
仓库库存编号:
IRFBC30ALPBF-ND
别名:*IRFBC30ALPBF
无铅
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制造商 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix
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安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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包装 管件
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零件状态 过期
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供应商器件封装 I2PAK
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技术 MOSFET(金属氧化物)
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V
Vishay Siliconix 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.2 欧姆 @ 2.2A,10V
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FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA
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功率耗散(最大值) 74W(Tc)
Vishay Siliconix 功率耗散(最大值) 74W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 600V
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