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IRFBC40APBF - 

MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB

Vishay Siliconix IRFBC40APBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IRFBC40APBF
仓库库存编号：
IRFBC40APBF-ND
描述：
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRFBC40APBF
库存编号:IRFBC40APBF-ND		 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB973
1起订		1+
50+
100+
500+
1000+
2000+
5000+
￥30.77
￥17.29
￥30.77
￥14.63
￥13.31
￥12.62
￥12.51
6-10天购买 购买
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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(工作日)		 操作
IRFBC40APBF-BE3
库存编号:78-IRFBC40APBF-BE3		 Vishay Intertechnologies MOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET1619
1起订		1+
10+
100+
250+
500+
1000+
2000+
5000+
￥29.08
￥13.83
￥13.36
￥13.12
￥12.77
￥12.3
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￥11.82
6-10天购买 购买
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IRFBC40APBF
库存编号:844-IRFBC40APBF		 Vishay Intertechnologies MOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET1205
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6-10天购买 购买
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRFBC40APBF
库存编号:IRFBC40APBF		 Vishay Intertechnologies MOSFET N-CHANNEL 600V - Rail/Tube (Alt: IRFBC40APBF)0
1000起订		1000+
2000+
4000+
6000+
8000+
￥12.91
￥12.7
￥12.5
￥12.29
￥12.15
1-2周询价 询价
IRFBC40APBF-BE3
库存编号:IRFBC40APBF-BE3		 Vishay Intertechnologies N-CHANNEL 600V - Tape and Reel (Alt: IRFBC40APBF-BE3)0
1000起订		1000+
2000+
4000+
6000+
8000+
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￥10.49
1-2周询价 询价
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRFBC40APBF
库存编号:82430471		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB550
50起订		50+
100+
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￥18.24
￥16.31
￥15.12
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IRFBC40APBF
库存编号:60966750		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB246
7起订		7+
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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(工作日)		 操作
IRFBC40APBF
库存编号:8648824		 Vishay Intertechnologies , MOSFET, N, TO-220 600V 6.1A326
1起订		1+
10+
100+
500+
1000+
5000+
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￥16.25
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRFBC40APBF
库存编号:IRFBC40APBF		Vishay IntertechnologiesMOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET1250
50起订		50+
100+
￥14.98
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IRFBC40APBF-BE3
库存编号:IRFBC40APBF-BE3		Vishay IntertechnologiesMOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET800
50起订		50+
100+
250+
500+
1000+
￥17.45
￥17.04
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￥16.35
￥16.07
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRFBC40APBF Vishay Intertechnologies 6.2A, 600V, 1.2OHM, N-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET, TO-220AB400
1起订		1+
106+
283+
￥69.54
￥32.45
￥30.14
1-3周购买 购买
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IRFBC40APBF Vishay Siliconix 6.2A, 600V, 1.2OHM, N-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET, TO-220AB240
1起订		1+
92+
201+
￥54.86
￥27.43
￥25.38
1-3周购买 购买
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IRFBC40APBF Vishay Siliconix 6.2A, 600V, 1.2OHM, N-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET, TO-220AB104
1起订		1+
15+
51+
￥34.29
￥27.43
￥20.58
1-3周购买 购买
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  英国11号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRFBC40APBF
库存编号:1808315		 Vishay Intertechnologies N channel , VBRDSS 600 V, RDSon 1200 mO, TU685
50起订		50+
100+
200+
￥14.81
￥14.36
￥13.93
1-3周购买 购买
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IRFBC40APBF
库存编号:1808656		 Vishay Intertechnologies N channel , VBRDSS 600 V, RDSon 1200 mO, PK685
5起订		5+
15+
25+
￥27.54
￥26.71
￥25.9
1-3周购买 购买
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IRFBC40APBF产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-220-3  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-220AB  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  42nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  1.2 欧姆 @ 3.7A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  6.2A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  1036pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  125W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  600V  
关键词         

产品资料
标准包装 50
其它名称 *IRFBC40APBF

IRFBC40APBF相关搜索

封装/外壳 TO-220-3  Vishay Siliconix 封装/外壳 TO-220-3  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3   制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix   安装类型 通孔  Vishay Siliconix 安装类型 通孔  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Vishay Siliconix 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Vishay Siliconix 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Vishay Siliconix 包装 管件   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件   Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  Vishay Siliconix 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-220AB  Vishay Siliconix 供应商器件封装 TO-220AB  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220AB  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220AB   技术 MOSFET（金属氧化物）  Vishay Siliconix 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±30V  Vishay Siliconix Vgs（最大值） ±30V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±30V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±30V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 10V  Vishay Siliconix 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.2 欧姆 @ 3.7A，10V  Vishay Siliconix 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.2 欧姆 @ 3.7A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.2 欧姆 @ 3.7A，10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.2 欧姆 @ 3.7A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Vishay Siliconix 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V   FET 类型 N 沟道  Vishay Siliconix FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Tc）  Vishay Siliconix 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Tc）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1036pF @ 25V  Vishay Siliconix 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1036pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1036pF @ 25V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1036pF @ 25V   FET 功能 -  Vishay Siliconix FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  Vishay Siliconix 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA   功率耗散（最大值） 125W（Tc）  Vishay Siliconix 功率耗散（最大值） 125W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 125W（Tc）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 125W（Tc）   漏源电压（Vdss） 600V  Vishay Siliconix 漏源电压（Vdss） 600V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 600V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 600V  
参考价格及参考库存
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型号 制造商 描述 操作
IRFBC40APBF
[更多]		 Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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  美国2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
IRFBC40APBF
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MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp

RoHS: Compliant

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IRFBC40A
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp

RoHS: Not compliant

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型号 制造商 描述 操作
IRFBC40APBF
[更多]		 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IRFBC40APBF
[更多]		 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Rail/Tube (Alt: IRFBC40APBF)

RoHS: Not Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IRFBC40APBF
[更多]		 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

RoHS: Compliant

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IRFBC40APBF
[更多]		 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

RoHS: Compliant

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IRFBC40APBF
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MOSFET, N, 600V, 6.1A, TO-220

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型号 制造商 描述 操作
IRFBC40APBF
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Single N-Channel 600 V 1.2 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
IRFBC40APBF
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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 600V, RDS(ON) 1.2 Ohms, ID 6.2A, TO-220AB, PD 125W, VGS +/-30

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IRFBC40APBF N-channel MOSFET Transistor, 6.2 A, 600 V, 3-Pin TO-220AB

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IRFBC40APBF
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MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp

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Vishay Siliconix - IRFBC40APBF - MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB		Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB

型号：IRFBC40APBF
仓库库存编号：IRFBC40APBF-ND
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IRFBC40APBF
VISHAY IRFBC40APBF		8648824

VISHAY

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 600 V, 1.2 ohm, 10 V, 4 V

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IRFBC40APBF|VISHAYIRFBC40APBF
VISHAY		单 N 沟道 600 V 1.2 Ohms 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220AB
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Vishay - IRFBC40APBF - Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 IRFBC40APBF, 6.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
制造商零件编号：
IRFBC40APBF
品牌：
Vishay
库存编号：
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Siliconix / Vishay - IRFBC40APBF - 3-Pin TO-220AB 600 V 6.2 A IRFBC40APBF N-channel MOSFET Transistor|70459436 | ChuangWei Electronics		Siliconix / Vishay
IRFBC40APBF N-channel MOSFET Transistor, 6.2 A, 600 V, 3-Pin TO-220AB

型号：IRFBC40APBF
仓库库存编号：70459436

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Vishay PCS - IRFBC40APBF - VGS +/-30 PD 125W TO-220AB ID 6.2A RDS(ON) 1.2 Ohms VDSS 600V N-Ch MOSFET, Power|70078884 | ChuangWei Electronics		Vishay PCS
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 600V; RDS(ON) 1.2 Ohms; ID 6.2A; TO-220AB; PD 125W; VGS +/-30

型号：IRFBC40APBF
仓库库存编号：70078884

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无图IRFBC40APBF
VISHAY		单 N 沟道 600 V 1.2 Ohms 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220AB
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IRFBC40APBF|Vishay SiliconixIRFBC40APBF
Vishay Siliconix		MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
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IRFBC40APBF|VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIERIRFBC40APBF
VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER		场效应管 MOSFET N TO-220 600V 6.1A
Rohs

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IRFBC40APBF|Vishay SiliconixIRFBC40APBF
Vishay Siliconix		MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
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