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IRFL214TRPBF - 

MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223

Vishay Siliconix IRFL214TRPBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IRFL214TRPBF
仓库库存编号：
IRFL214PBFCT-ND
描述：
MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 790mA（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRFL214TRPBF
库存编号:IRFL214PBFDKR-ND		 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 250V 790MA SOT2231586
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10+
100+
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IRFL214TRPBF
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IRFL214TRPBF-BE3
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IRFL214TRPBF-BE3
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IRFL214TRPBF
库存编号:IRFL214PBFTR-ND		 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 250V 790MA SOT2230
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IRFL214TRPBF-BE3
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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(工作日)		 操作
IRFL214TRPBF-BE3
库存编号:IRFL214TRPBF-BE3		 Vishay Intertechnologies N-CHANNEL 250V - Tape and Reel (Alt: IRFL214TRPBF-BE3)0
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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(工作日)		 操作
IRFL214TRPBF
库存编号:36839729		 Vishay Intertechnologies Trans MOSFET N-CH 250V 0.79A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R0
17起订		17+
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1-2周询价 询价
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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(工作日)		 操作
IRFL214TRPBF
库存编号:3772696		 Vishay Intertechnologies , MOSFET, N, 250V, 0.79A, SOT-223550
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IRFL214TRPBF
库存编号:3772696RL		 Vishay Intertechnologies , MOSFET, N, 250V, 0.79A, SOT-223550
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(工作日)		 操作
IRFL214TRPBF-BE3 Vishay Intertechnologies  
4000
17起订		1-3周询价 询价
IRFL214TRPBF Vishay Intertechnologies  
3756
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￥12.52
￥10.74
1-3周购买 购买
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IRFL214TRPBF产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-261-4，TO-261AA  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-223  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  8.2nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  2 欧姆 @ 470mA，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  790mA（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  140pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  2W（Ta），3.1W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  250V  
关键词         

产品资料
数据列表 IRFL214
标准包装 1
其它名称 *IRFL214TRPBF
IRFL214PBFCT

IRFL214TRPBF相关搜索

封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  Vishay Siliconix 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA   制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix   安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Vishay Siliconix 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Vishay Siliconix 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Vishay Siliconix 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Vishay Siliconix 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-223  Vishay Siliconix 供应商器件封装 SOT-223  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-223  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-223   技术 MOSFET（金属氧化物）  Vishay Siliconix 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Vishay Siliconix Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V  Vishay Siliconix 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2 欧姆 @ 470mA，10V  Vishay Siliconix 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2 欧姆 @ 470mA，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2 欧姆 @ 470mA，10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2 欧姆 @ 470mA，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Vishay Siliconix 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V   FET 类型 N 沟道  Vishay Siliconix FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 790mA（Tc）  Vishay Siliconix 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 790mA（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 790mA（Tc）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 790mA（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 140pF @ 25V  Vishay Siliconix 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 140pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 140pF @ 25V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 140pF @ 25V   FET 功能 -  Vishay Siliconix FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  Vishay Siliconix 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA   功率耗散（最大值） 2W（Ta），3.1W（Tc）  Vishay Siliconix 功率耗散（最大值） 2W（Ta），3.1W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 2W（Ta），3.1W（Tc）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 2W（Ta），3.1W（Tc）   漏源电压（Vdss） 250V  Vishay Siliconix 漏源电压（Vdss） 250V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 250V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 250V  
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IRFL214TRPBF
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MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223

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IRFL214TRPBF
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MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRFL214TRPBF
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MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223

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MOSFET N-Chan 250V 0.79 Amp

RoHS: Compliant

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IRFL214TR
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MOSFET N-Chan 250V 0.79 Amp

RoHS: Not compliant

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IRFL214TRPBF
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Trans MOSFET N-CH 250V 0.79A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

RoHS: Not Compliant | pbFree: No

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IRFL214TRPBF
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Trans MOSFET N-CH 250V 0.79A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R - Tape and Reel (Alt: IRFL214TRPBF)

RoHS: Not Compliant

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Trans MOSFET N-CH 250V 0.79A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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IRFL214TRPBF
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Trans MOSFET N-CH 250V 0.79A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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N-Channel 250 V 2 Ohm Power Mosfet Surface Mount - SOT-223-3

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MOSFET N-Chan 250V 0.79 Amp

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Vishay Siliconix - IRFL214TRPBF - MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223		Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 790mA（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223

型号：IRFL214TRPBF
仓库库存编号：IRFL214PBFCT-ND
别名：*IRFL214TRPBF <br>IRFL214PBFCT <br>

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IRFL214TRPBF|VISHAYIRFL214TRPBF
VISHAY		单 N沟道 250 V 2 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - SOT-223-3
Rohs

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无图IRFL214TRPBF
VISHAY		单 N沟道 250 V 2 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - SOT-223-3
Rohs

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IRFL214TRPBF|Vishay SiliconixIRFL214TRPBF
Vishay Siliconix		MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223
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IRFL214TRPBF|Vishay SiliconixIRFL214TRPBF
Vishay Siliconix		MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223
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