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IRFL9110TRPBF
IRFL9110TRPBF -
MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
制造商产品编号:
IRFL9110TRPBF
仓库库存编号:
IRFL9110PBFCT-ND
描述:
MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 1.1A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IRFL9110TRPBF产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
制造商
Vishay Siliconix
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-223
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
8.7nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
1.2 欧姆 @ 660mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.1A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
200pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
功率耗散(最大值)
2W(Ta),3.1W(Tc)
漏源电压(Vdss)
100V
关键词
产品资料
数据列表
IRFL9110
标准包装
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Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 100V
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