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IRFR1N60ATRPBF
IRFR1N60ATRPBF -
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
制造商产品编号:
IRFR1N60ATRPBF
仓库库存编号:
IRFR1N60APBFCT-ND
描述:
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 1.4A(Tc) 36W(Tc) D-Pak
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IRFR1N60ATRPBF产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
制造商
Vishay Siliconix
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
D-Pak
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
14nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
7 欧姆 @ 840mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.4A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
229pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
功率耗散(最大值)
36W(Tc)
漏源电压(Vdss)
600V
关键词
产品资料
数据列表
IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_1N60A
标准包装
1
其它名称
*IRFR1N60ATRPBF
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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