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IRLIZ24G
IRLIZ24G -
MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
制造商产品编号:
IRLIZ24G
仓库库存编号:
IRLIZ24G-ND
描述:
MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 14A(Tc) 37W(Tc) TO-220-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IRLIZ24G产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3 全封装,隔离接片
制造商
Vishay Siliconix
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-220-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±10V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
18nC @ 5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
100 毫欧 @ 8.4A,5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,5V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
14A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
870pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
功率耗散(最大值)
37W(Tc)
漏源电压(Vdss)
60V
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产品资料
数据列表
IRLIZ24G
标准包装
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其它名称
*IRLIZ24G
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封装/外壳 TO-220-3 全封装,隔离接片
Vishay Siliconix 封装/外壳 TO-220-3 全封装,隔离接片
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3 全封装,隔离接片
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3 全封装,隔离接片
制造商 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix
安装类型 通孔
Vishay Siliconix 安装类型 通孔
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Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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系列 -
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包装 管件
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零件状态 在售
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供应商器件封装 TO-220-3
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220-3
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技术 MOSFET(金属氧化物)
Vishay Siliconix 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±10V
Vishay Siliconix Vgs(最大值) ±10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±10V
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±10V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 5V
Vishay Siliconix 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 5V
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 8.4A,5V
Vishay Siliconix 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 8.4A,5V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,5V
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 14A(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 870pF @ 25V
Vishay Siliconix 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 870pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 870pF @ 25V
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FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA
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功率耗散(最大值) 37W(Tc)
Vishay Siliconix 功率耗散(最大值) 37W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 37W(Tc)
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 37W(Tc)
漏源电压(Vdss) 60V
Vishay Siliconix 漏源电压(Vdss) 60V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
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