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产品规格

封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	表面贴装
工作温度	-
系列	HEXFET?
包装	带卷（TR）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	D-Pak
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	50nC @ 5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	7 毫欧 @ 15A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	89A（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 250μA（最小）
功率耗散（最大值）	-
漏源电压（Vdss）	30V
关键词

产品资料

标准包装	3,000

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Vishay Siliconix 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63   制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix   安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -  Vishay Siliconix 工作温度 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -   系列 HEXFET?  Vishay Siliconix 系列 HEXFET?  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 HEXFET?  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 HEXFET?   包装 带卷（TR）   Vishay Siliconix 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）   Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）    零件状态  已不再提供  Vishay Siliconix 零件状态  已不再提供  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态  已不再提供  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 D-Pak  Vishay Siliconix 供应商器件封装 D-Pak  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 D-Pak  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 D-Pak   技术 MOSFET（金属氧化物）  Vishay Siliconix 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Vishay Siliconix Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 5V  Vishay Siliconix 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 5V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 7 毫欧 @ 15A，10V  Vishay Siliconix 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 7 毫欧 @ 15A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 7 毫欧 @ 15A，10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 7 毫欧 @ 15A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  Vishay Siliconix 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V   FET 类型 N 沟道  Vishay Siliconix FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 89A（Ta）  Vishay Siliconix 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 89A（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 89A（Ta）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 89A（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  Vishay Siliconix 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -   FET 功能 -  Vishay Siliconix FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA（最小）  Vishay Siliconix 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA（最小）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA（最小）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA（最小）   功率耗散（最大值） -  Vishay Siliconix 功率耗散（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） -  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） -   漏源电压（Vdss） 30V  Vishay Siliconix 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V