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SI1036X-T1-GE3
SI1036X-T1-GE3 -
DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
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制造商：
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
制造商产品编号：
SI1036X-T1-GE3
仓库库存编号：
SI1036X-T1-GE3-ND
描述：
DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 610mA (Ta) 220mW Surface Mount SC-89-6
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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SI1036X-T1-GE3产品属性
产品规格
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
制造商
Vishay Siliconix
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
系列
TrenchFET?
零件状态
在售
供应商器件封装
SC-89-6
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
1.2nC @ 4.5V
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
610mA（Ta）
FET 功能
标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250μA
漏源电压（Vdss）
30V
功率 - 最大值
220mW
关键词
产品资料
数据列表
SI1036X
标准包装
3,000
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封装/外壳 SOT-563，SOT-666
Vishay Siliconix 封装/外壳 SOT-563，SOT-666
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-563，SOT-666
Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-563，SOT-666
制造商 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Vishay Siliconix
安装类型 表面贴装
Vishay Siliconix 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
Vishay Siliconix 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
系列 TrenchFET?
Vishay Siliconix 系列 TrenchFET?
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 TrenchFET?
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零件状态 在售
Vishay Siliconix 零件状态 在售
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售
Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售
供应商器件封装 SC-89-6
Vishay Siliconix 供应商器件封装 SC-89-6
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SC-89-6
Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SC-89-6
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.2nC @ 4.5V
Vishay Siliconix 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.2nC @ 4.5V
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.2nC @ 4.5V
Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.2nC @ 4.5V
FET 类型 2 个 N 沟道（双）
Vishay Siliconix FET 类型 2 个 N 沟道（双）
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）
Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 610mA（Ta）
Vishay Siliconix 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 610mA（Ta）
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 610mA（Ta）
Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 610mA（Ta）
FET 功能 标准
Vishay Siliconix FET 功能 标准
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准
Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
Vishay Siliconix 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
漏源电压（Vdss） 30V
Vishay Siliconix 漏源电压（Vdss） 30V
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V
Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V
功率 - 最大值 220mW
Vishay Siliconix 功率 - 最大值 220mW
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 220mW
Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 220mW
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