SI1539DDL-T1-GE3,Vishay Siliconix,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

SI1539DDL-T1-GE3 - 

N-AND P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFE

  • 新产品 
  • 非库存货
Vishay Siliconix SI1539DDL-T1-GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
SI1539DDL-T1-GE3
仓库库存编号：
SI1539DDL-T1-GE3-ND
描述：
N-AND P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFE
详细描述：
Mosfet Array N and P-Channel 30V 340mW Surface Mount SC-70-6
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

SI1539DDL-T1-GE3产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-TSSOP，SC-88，SOT-363  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  TrenchFET?  
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SC-70-6  
  FET 类型  N 和 P 沟道  
  FET 功能  标准  
  漏源电压（Vdss）  30V  
  功率 - 最大值  340mW  
关键词         

产品资料
数据列表 SI1539DDL
标准包装 3,000

SI1539DDL-T1-GE3相关搜索

封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  Vishay Siliconix 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363   制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Vishay Siliconix   安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Vishay Siliconix 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 TrenchFET?  Vishay Siliconix 系列 TrenchFET?  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 TrenchFET?  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 TrenchFET?   零件状态 在售  Vishay Siliconix 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 SC-70-6  Vishay Siliconix 供应商器件封装 SC-70-6  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SC-70-6  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SC-70-6   FET 类型 N 和 P 沟道  Vishay Siliconix FET 类型 N 和 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道   FET 功能 标准  Vishay Siliconix FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   漏源电压（Vdss） 30V  Vishay Siliconix 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V   功率 - 最大值 340mW  Vishay Siliconix 功率 - 最大值 340mW  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 340mW  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 340mW  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号