关于我们 | 联系我们

库存查询

• 已过时的产品。

产品规格

封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	TrenchFET?
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	SC-70-6（SOT-363）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	1.2nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	235 毫欧 @ 1.2A，4.5V
FET 类型	N 和 P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	1.2A，770mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 100μA
漏源电压（Vdss）	12V
功率 - 最大值	470mW
关键词

产品资料

数据列表	SI1557DH
标准包装	3,000

封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  Vishay Siliconix 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363   制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Vishay Siliconix   安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Vishay Siliconix 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 TrenchFET?  Vishay Siliconix 系列 TrenchFET?  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 TrenchFET?  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 TrenchFET?   包装 带卷（TR）   Vishay Siliconix 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）   Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Vishay Siliconix 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 SC-70-6（SOT-363）  Vishay Siliconix 供应商器件封装 SC-70-6（SOT-363）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SC-70-6（SOT-363）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SC-70-6（SOT-363）   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.2nC @ 4.5V  Vishay Siliconix 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.2nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.2nC @ 4.5V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.2nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 235 毫欧 @ 1.2A，4.5V  Vishay Siliconix 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 235 毫欧 @ 1.2A，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 235 毫欧 @ 1.2A，4.5V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 235 毫欧 @ 1.2A，4.5V   FET 类型 N 和 P 沟道  Vishay Siliconix FET 类型 N 和 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.2A，770mA  Vishay Siliconix 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.2A，770mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.2A，770mA  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.2A，770mA   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  Vishay Siliconix 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -   FET 功能 逻辑电平门  Vishay Siliconix FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 100μA  Vishay Siliconix 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 100μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 100μA  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 100μA   漏源电压（Vdss） 12V  Vishay Siliconix 漏源电压（Vdss） 12V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 12V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 12V   功率 - 最大值 470mW  Vishay Siliconix 功率 - 最大值 470mW  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 470mW  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 470mW