SI1926DL-T1-E3,Vishay Siliconix,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

SI1926DL-T1-E3 - 

MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6

Vishay Siliconix SI1926DL-T1-E3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
SI1926DL-T1-E3
仓库库存编号：
SI1926DL-T1-E3CT-ND
描述：
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 370mA 510mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

SI1926DL-T1-E3产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-TSSOP，SC-88，SOT-363  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  TrenchFET?  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SC-70-6（SOT-363）  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  1.4nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  1.4 欧姆 @ 340mA，10V  
  FET 类型  2 个 N 沟道（双）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  370mA  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  18.5pF @ 30V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2.5V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  60V  
  功率 - 最大值  510mW  
关键词         

产品资料
数据列表 SI1926DL
标准包装 1
其它名称 SI1926DL-T1-E3CT

SI1926DL-T1-E3您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

SI1926DL-T1-E3相关搜索

封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  Vishay Siliconix 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363   制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Vishay Siliconix   安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Vishay Siliconix 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 TrenchFET?  Vishay Siliconix 系列 TrenchFET?  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 TrenchFET?  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 TrenchFET?   包装 剪切带（CT）   Vishay Siliconix 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Vishay Siliconix 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 SC-70-6（SOT-363）  Vishay Siliconix 供应商器件封装 SC-70-6（SOT-363）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SC-70-6（SOT-363）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SC-70-6（SOT-363）   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 10V  Vishay Siliconix 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.4 欧姆 @ 340mA，10V  Vishay Siliconix 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.4 欧姆 @ 340mA，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.4 欧姆 @ 340mA，10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.4 欧姆 @ 340mA，10V   FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Vishay Siliconix FET 类型 2 个 N 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 370mA  Vishay Siliconix 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 370mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 370mA  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 370mA   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 18.5pF @ 30V  Vishay Siliconix 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 18.5pF @ 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 18.5pF @ 30V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 18.5pF @ 30V   FET 功能 逻辑电平门  Vishay Siliconix FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  Vishay Siliconix 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 60V  Vishay Siliconix 漏源电压（Vdss） 60V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 60V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 60V   功率 - 最大值 510mW  Vishay Siliconix 功率 - 最大值 510mW  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 510mW  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 510mW  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号