SI2307CDS-T1-GE3,Vishay Siliconix,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

SI2307CDS-T1-GE3 - 

MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3

Vishay Siliconix SI2307CDS-T1-GE3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
SI2307CDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2307CDS-T1-GE3CT-ND
描述:
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 3.5A(Tc) 1.1W(Ta),1.8W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!


数据正在加载中...

SI2307CDS-T1-GE3产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  TrenchFET?  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-23-3(TO-236)  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  6.2nC @ 4.5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  88 毫欧 @ 3.5A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  4.5V,10V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  3.5A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  340pF @ 15V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  3V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  1.1W(Ta),1.8W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  30V  
关键词         

产品资料
数据列表 SI2307CDS
标准包装 1
其它名称 SI2307CDS-T1-GE3CT

SI2307CDS-T1-GE3您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

SI2307CDS-T1-GE3相关搜索

封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  Vishay Siliconix 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3   制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix  晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix   安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Vishay Siliconix 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)   系列 TrenchFET?  Vishay Siliconix 系列 TrenchFET?  晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 TrenchFET?  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 TrenchFET?   包装 剪切带(CT)   Vishay Siliconix 包装 剪切带(CT)   晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)   Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)    零件状态 在售  Vishay Siliconix 零件状态 在售  晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)  Vishay Siliconix 供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)   技术 MOSFET(金属氧化物)  Vishay Siliconix 技术 MOSFET(金属氧化物)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)   Vgs(最大值) ±20V  Vishay Siliconix Vgs(最大值) ±20V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.2nC @ 4.5V  Vishay Siliconix 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.2nC @ 4.5V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.2nC @ 4.5V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.2nC @ 4.5V   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 88 毫欧 @ 3.5A,10V  Vishay Siliconix 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 88 毫欧 @ 3.5A,10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 88 毫欧 @ 3.5A,10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 88 毫欧 @ 3.5A,10V   驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V  Vishay Siliconix 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V   FET 类型 P 沟道  Vishay Siliconix FET 类型 P 沟道  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.5A(Tc)  Vishay Siliconix 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.5A(Tc)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.5A(Tc)  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.5A(Tc)   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 340pF @ 15V  Vishay Siliconix 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 340pF @ 15V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 340pF @ 15V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 340pF @ 15V   FET 功能 -  Vishay Siliconix FET 功能 -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA  Vishay Siliconix 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA   功率耗散(最大值) 1.1W(Ta),1.8W(Tc)  Vishay Siliconix 功率耗散(最大值) 1.1W(Ta),1.8W(Tc)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 1.1W(Ta),1.8W(Tc)  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 1.1W(Ta),1.8W(Tc)   漏源电压(Vdss) 30V  Vishay Siliconix 漏源电压(Vdss) 30V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V  
参考价格及参考库存
  美国1号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SI2307CDS-T1-GE3
[更多]
Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
查看资料
SI2307CDS-T1-GE3
[更多]
Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
查看资料
SI2307CDS-T1-GE3
[更多]
Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
查看资料
  美国2号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SI2307CDS-T1-GE3
[更多]
Vishay Intertechnologies

MOSFET 30V 2.7A 1.8W 88 mohms @ 10V

RoHS: Compliant

搜索
  日本1号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SI2307CDS-T1-GE3
[更多]
Vishay Intertechnologies

MOSFET

RoHS: Compliant

搜索
  美国3号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SI2307CDS-T1-GE3
[更多]
Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: SI2307CDS-T1-GE3)

RoHS: Not Compliant

搜索
SI2307CDS-T1-GE3
[更多]
Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R - Cut TR (SOS) (Alt: SI2307CDS-T1-GE3/BKN)

RoHS: Not Compliant

搜索
  日本2号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SI2307CDS-T1-GE3
[更多]
Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

RoHS: Compliant

搜索
SI2307CDS-T1-GE3
[更多]
Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

RoHS: Compliant

搜索
SI2307CDS-T1-GE3
[更多]
Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

RoHS: Compliant

搜索
SI2307CDS-T1-GE3
[更多]
Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

RoHS: Compliant

搜索
  新加坡2号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SI2307CDS-T1-GE3
[更多]
Vishay Intertechnologies

P CHANNEL MOSFET, -30V, 2.7A TO-236, FUL

搜索
SI2307CDS-T1-GE3
[更多]
Vishay Intertechnologies

MOSFET, P-CH, 30V, 3.5A, SOT23

搜索
SI2307CDS-T1-GE3
[更多]
Vishay Intertechnologies

MOSFET, P-CH, 30V, 3.5A, SOT23

搜索
  新加坡1号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SI2307CDS-T1-GE3
[更多]
Vishay Intertechnologies

Single P-Channel 30 V 88 mOhms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
SI2307CDS-T1-GE3
[更多]
Vishay Intertechnologies

Single P-Channel 30 V 88 mOhms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
  英国2号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SI2307CDS-T1-GE3
[更多]
Vishay Siliconix

30V 2.7A 1.8W 88 mohms @ 10V

RoHS: Compliant

搜索
查看资料
  美国6号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SI2307CDS-T1-GE3
[更多]
Vishay Intertechnologies

MOSFET 30V 2.7A 1.8W 88 mohms @ 10V

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

搜索
SI2307CDS-T1-GE3.
[更多]
Vishay Intertechnologies

MOSFET 30V,P-CH

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

搜索
SI2307BDS-T1-E3
[更多]
Vishay Intertechnologies

MOSFET 30V 3.2A 1.25W

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

搜索
  英国8号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SI2307CDS-T1-GE3
[更多]
Vishay Siliconix  

搜索
SI2307CDS-T1-GE3
[更多]
Vishay Semiconductors  

搜索
  www.szcwdz.com    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
SI2307CDS-T1-GE3|VISHAYSI2307CDS-T1-GE3
VISHAY
场效应管 MOSFET P沟道 30V 3.5A SOT23
Rohs

PDF下载 
查价格库存
查看详细
  www.szcwdz.com.cn    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
SI2307CDS-T1-GE3|Vishay SiliconixSI2307CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Rohs

PDF下载 
查价格库存
查看详细
  美国1号仓库    查看更多相关产品
参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 操作

Vishay Siliconix - SI2307CDS-T1-GE3 - MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3

详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Tc) 1.1W(Ta),1.8W(Tc) SOT-23-3(TO-236)

型号:SI2307CDS-T1-GE3
仓库库存编号:SI2307CDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2307CDS-T1-GE3CT
无铅搜索
  www.szcwdz.cn    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
SI2307CDS-T1-GE3|VISHAYSI2307CDS-T1-GE3
VISHAY
场效应管 MOSFET P沟道 30V 3.5A SOT23
Rohs

PDF下载 
查价格库存
查看详细
SI2307CDS-T1-GE3|Vishay SiliconixSI2307CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Rohs

PDF下载 
查价格库存
查看详细
  新加坡2号仓库    查看更多相关产品
制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
SI2307CDS-T1-GE3
VISHAY SI2307CDS-T1-GE3
1779262

VISHAY

晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -30 V, 73 mohm, -10 V, -1 V

(EN)
搜索
SI2307CDS-T1-GE3
VISHAY SI2307CDS-T1-GE3
1779262RL

VISHAY

晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -30 V, 73 mohm, -10 V, -1 V

(EN)
搜索
SI2307CDS-T1-GE3
VISHAY SI2307CDS-T1-GE3
2371825

VISHAY

场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 2.7A TO-236, 整卷

(EN)
查看其他仓库
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号