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SI2311DS-T1-GE3 - 

MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

  • 已过时的产品。
Vishay Siliconix SI2311DS-T1-GE3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
SI2311DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2311DS-T1-GE3-ND
描述:
MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 8V 3A(Ta) 710mW(Ta) SOT-23-3
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SI2311DS-T1-GE3产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  TrenchFET?  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  SOT-23-3  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±8V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  12nC @ 4.5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  45 毫欧 @ 3.5A,4.5V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  1.8V,4.5V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  3A(Ta)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  970pF @ 4V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  800mV @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  710mW(Ta)  
  漏源电压(Vdss)  8V  
关键词         

产品资料
数据列表 SI2311DS
标准包装 3,000

SI2311DS-T1-GE3相关搜索

封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  Vishay Siliconix 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3   制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix  晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix   安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Vishay Siliconix 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)   系列 TrenchFET?  Vishay Siliconix 系列 TrenchFET?  晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 TrenchFET?  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 TrenchFET?   包装 带卷(TR)   Vishay Siliconix 包装 带卷(TR)   晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)   Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)    零件状态 过期  Vishay Siliconix 零件状态 过期  晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 SOT-23-3  Vishay Siliconix 供应商器件封装 SOT-23-3  晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-23-3  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-23-3   技术 MOSFET(金属氧化物)  Vishay Siliconix 技术 MOSFET(金属氧化物)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)   Vgs(最大值) ±8V  Vishay Siliconix Vgs(最大值) ±8V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±8V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±8V   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 4.5V  Vishay Siliconix 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 4.5V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 4.5V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 4.5V   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 45 毫欧 @ 3.5A,4.5V  Vishay Siliconix 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 45 毫欧 @ 3.5A,4.5V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 45 毫欧 @ 3.5A,4.5V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 45 毫欧 @ 3.5A,4.5V   驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V  Vishay Siliconix 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V   FET 类型 P 沟道  Vishay Siliconix FET 类型 P 沟道  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Ta)  Vishay Siliconix 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Ta)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Ta)  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Ta)   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 970pF @ 4V  Vishay Siliconix 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 970pF @ 4V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 970pF @ 4V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 970pF @ 4V   FET 功能 -  Vishay Siliconix FET 功能 -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA  Vishay Siliconix 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA   功率耗散(最大值) 710mW(Ta)  Vishay Siliconix 功率耗散(最大值) 710mW(Ta)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 710mW(Ta)  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 710mW(Ta)   漏源电压(Vdss) 8V  Vishay Siliconix 漏源电压(Vdss) 8V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 8V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 8V  
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