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SI4190ADY-T1-GE3 - 

MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO

Vishay Siliconix SI4190ADY-T1-GE3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
SI4190ADY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4190ADY-T1-GE3CT-ND
描述:
MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 18.4A(Tc) 3W(Ta),6W(Tc) 8-SO
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SI4190ADY-T1-GE3产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  TrenchFET?  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  8-SO  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  67nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  8.8 毫欧 @ 15A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  4.5V,10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  18.4A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  1970pF @ 50V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2.8V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  3W(Ta),6W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  100V  
关键词         

产品资料
数据列表 SI4190ADY
标准包装 1
其它名称 SI4190ADY-T1-GE3CT

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型号 制造商 描述 操作
SI4190ADY-T1-GE3
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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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SI4190ADY-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 100V 8.8mOhm@10V 18.4A N-Ch MV T-FET

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SI4190ADY-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

Other transistors

RoHS: Compliant

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SI4190ADY-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin SO T/R - Tape and Reel (Alt: SI4190ADY-T1-GE3)

RoHS: Compliant

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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin SO T/R (Alt: SI4190ADY-T1-GE3)

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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin SOIC N

RoHS: Compliant

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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin SOIC N

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MOSFET, N-CH, 100V, 8-SOIC

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SI4190ADY-T1-GE3
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MOSFET 100V 8.8MOHM@10V 18.4A N-CH MV T-FET

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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SI4190ADY-T1-GE3
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MOSFET 100V 8.8mOhm@10V 18.4A N-Ch MV T-FET

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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SI4190ADY-T1-GE3|VISHAYSI4190ADY-T1-GE3
VISHAY
N-Channel 100 V 8.8 mOhm 6 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Rohs

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Vishay Siliconix - SI4190ADY-T1-GE3 - MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO

详细描述:表面贴装 N 沟道 18.4A(Tc) 3W(Ta),6W(Tc) 8-SO

型号:SI4190ADY-T1-GE3
仓库库存编号:SI4190ADY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4190ADY-T1-GE3CT
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SI4190ADY-T1-GE3|VISHAYSI4190ADY-T1-GE3
VISHAY
N-Channel 100 V 8.8 mOhm 6 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
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SI4190ADY-T1-GE3|Vishay SiliconixSI4190ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSF N CH 100V 18.4A SO8
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
SI4190ADY-T1-GE3
VISHAY SI4190ADY-T1-GE3
2283674

VISHAY

晶体管, MOSFET, N沟道, 18.4 A, 100 V, 0.0073 ohm, 10 V, 1.5 V

(EN)
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Vishay - SI4190ADY-T1-GE3 - Vishay Si N沟道 MOSFET SI4190ADY-T1-GE3, 18 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
SI4190ADY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9235
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Vishay - SI4190ADY-T1-GE3 - Vishay Si N沟道 MOSFET SI4190ADY-T1-GE3, 18 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
SI4190ADY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4233
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电话:400-900-3095
QQ:800152669
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