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SI4425DDY-T1-GE3
SI4425DDY-T1-GE3 -
MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-SOIC
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
制造商产品编号:
SI4425DDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4425DDY-T1-GE3CT-ND
描述:
MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-SOIC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 19.7A(Tc) 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SO
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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SI4425DDY-T1-GE3产品属性
产品规格
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
制造商
Vishay Siliconix
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
TrenchFET?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
8-SO
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
80nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
9.8 毫欧 @ 13A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
19.7A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2610pF @ 15V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),5.7W(Tc)
漏源电压(Vdss)
30V
关键词
产品资料
数据列表
SI4425DDY
标准包装
1
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SI4425DDY-T1-GE3CT
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