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SI4563DY-T1-E3 - 

MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC

  • 已过时的产品。
Vishay Siliconix SI4563DY-T1-E3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
SI4563DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4563DY-T1-E3CT-ND
描述：
MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array N and P-Channel 40V 8A 3.25W Surface Mount 8-SO
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SI4563DY-T1-E3产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  TrenchFET?  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  8-SO  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  85nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  16 毫欧 @ 5A，10V  
  FET 类型  N 和 P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  8A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  2390pF @ 20V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  40V  
  功率 - 最大值  3.25W  
关键词         

产品资料
数据列表 SI4563DY
标准包装 1
其它名称 SI4563DY-T1-E3CT

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参考价格及参考库存
  美国2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SI4563DY-T1-E3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET N-AND P-CH 40V(D-S)

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SI4563DY-T1-E3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 40V, SOIC

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SI4563DY-T1-E3|VISHAYSI4563DY-T1-E3
VISHAY		N & P沟道 40 V 0.016/0.025 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - SOIC-8
Rohs

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
SI4563DY-T1-E3
VISHAY SI4563DY-T1-E3		1792250

VISHAY

晶体管, 双N&P沟道

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
SI4563DY-T1-E3|Vishay SiliconixSI4563DY-T1-E3
Vishay Siliconix		MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
Rohs

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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF操作

Vishay Siliconix - SI4563DY-T1-E3 - MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC		Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 8A 3.25W Surface Mount 8-SO

型号：SI4563DY-T1-E3
仓库库存编号：SI4563DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4563DY-T1-E3CT <br>

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
无图SI4563DY-T1-E3
VISHAY		N & P沟道 40 V 0.016/0.025 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - SOIC-8
Rohs

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SI4563DY-T1-E3|Vishay SiliconixSI4563DY-T1-E3
Vishay Siliconix		MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
Rohs

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