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SI6423DQ-T1-GE3 - 

MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP

Vishay Siliconix SI6423DQ-T1-GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
SI6423DQ-T1-GE3
仓库库存编号：
SI6423DQ-T1-GE3CT-ND
描述：
MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 P 沟道 8.2A（Ta） 1.05W（Ta） 8-TSSOP
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

SI6423DQ-T1-GE3产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  TrenchFET?  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  8-TSSOP  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±8V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  110nC @ 5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  8.5 毫欧 @ 9.5A，4.5V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  1.8V，4.5V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  8.2A（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  -  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  800mV @ 400μA  
  功率耗散（最大值）  1.05W（Ta）  
  漏源电压（Vdss）  12V  
关键词         

产品资料
数据列表 Si6423DQ
标准包装 1
其它名称 SI6423DQ-T1-GE3CT

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